[發明專利]多層陶瓷電子元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201210371994.9
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103219151A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 全炳俊;李圭夏;具賢熙;金昶勛;樸明俊
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/30
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 施娥娟;董彬

相關申請交叉引用

本申請要求于2012年1月18日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2012-0005750的優先權，該申請公開的內容作為參考結合于此。

技術領域

本發明涉及具有高容量的多層陶瓷電子元件，通過降低外電極中的厚度偏差，該多層陶瓷電子元件具有良好的可靠性，同時具有更薄的外電極。

現有技術

目前，隨著電子產品的尺寸減小，多層陶瓷電子元件也被要求減小尺寸，但具有大的電容量。

因此，已經嘗試各種方法來使得介電層和內電極更薄且更加多層化，并且，近來，已經制作出了其中層壓了增大的量的薄介電層的多層陶瓷電子元件。

另外，由于還要求外電極變得更薄，這潛在地導致了電鍍液穿過外電極滲入基片的缺陷，因而難以減小多層陶瓷元件的尺寸。

具體地，當外電極的形狀不均勻（uniform）時，電鍍液滲入外電極的較薄部分的可能性進一步增大，導致無法獲得安全的可靠性。

因此，當大電容產品相對較小時，其外電極的形狀是關鍵因素。

發明內容

本發明的一個方面提供一種高容量多層陶瓷電子元件，提供減小外電極的厚度偏差，該高電容多層陶瓷電子元件具有良好可靠性，同時具有較薄的外電極。

根據本發明的一個方面，提供一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：陶瓷主體；多個內電極，該多個內電極層壓在所述陶瓷主體內；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷主體的外表面上并與所述內電極電連接，其中，所述外電極的平均厚度為小于或等于10μm，并且當所述外電極在所述陶瓷主體的中間部分沿厚度方向的厚度為Tc，且在沿厚度方向與電容形成區域的中間部分相距所述陶瓷主體的電容形成區域的厚度的25%的點處的所述外電極的厚度為T1時，滿足0.8≤|T1/Tc|≤1.0，所述內電極在所述電容形成區域內層壓以形成電容。

當所述外電極在所述陶瓷主體的邊緣部分的最薄點為T3時，可以滿足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

所述外電極包括小于或等于總重的60wt%的導電金屬。

所述導電金屬為選自由銅（Cu）、鎳（Ni）、銀（Ag）和銀-鈀（Ag-Pd）構成的組中的一者或多者。

根據本發明的另一方面，提供一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：陶瓷主體；多個內電極，該多個內電極層壓在所述陶瓷主體內；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷主體的外表面上并與所述內電極電連接，其中，所述外電極的平均厚度為小于或等于10μm，并且當所述外電極在所述陶瓷主體的中間部分的沿厚度方向的厚度為Tc，且所述外電極在其中層壓所述內電極以形成電容的所述陶瓷主體的最外內電極處的厚度為T2時，滿足0.5≤|T2/Tc|≤1.0。

當所述外電極在所述陶瓷主體的邊緣部分的最薄點為T3時，滿足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

所述外電極包括小于或等于總重的60wt%的導電金屬。

所述導電金屬為選自由銅（Cu）、鎳（Ni）、銀（Ag）和銀-鈀（Ag-Pd）構成的組中的一者或多者。

根據本發明的另一方面，提供一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：陶瓷主體；多個內電極，該多個內電極層壓在所述陶瓷主體內；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷主體的外表面上并與所述內電極電連接，其中，所述外電極的平均厚度為小于或等于10μm，并且當所述外電極在所述陶瓷主體的中間部分沿厚度方向的厚度為Tc，在沿厚度方向與電容形成區域的中間部分相距所述陶瓷主體的電容形成區域的厚度的25%的點處的所述外電極的厚度為T1時，所述內電極在所述電容形成區域內層壓以形成電容，且所述外電極在其中層壓所述內電極以形成電容的的所述陶瓷主體的最外內電極處的厚度為T2，滿足0.8≤|T1/Tc|≤1.0和0.5≤|T2/Tc|≤1.0。

當所述外電極在所述陶瓷主體的邊緣部分的最薄點為T3時，可以滿足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

所述外電極包括小于或等于總重的60wt%以下的導電金屬。

所述導電金屬為選自由銅（Cu）、鎳（Ni）、銀（Ag）和銀-鈀（Ag-Pd）構成的組中的一者或多者。