[發明專利]多層陶瓷電子元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201210371994.9
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103219151A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 全炳俊;李圭夏;具賢熙;金昶勛;樸明俊
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/30
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 施娥娟;董彬

1.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷主體；

多個內電極，該多個內電極層壓在所述陶瓷主體內；以及

外電極，該外電極形成在所述陶瓷主體的外表面上并與所述內電極電連接，

所述外電極的平均厚度為小于或等于10μm，并且當在所述陶瓷主體的沿厚度方向的中間部分的所述外電極的厚度為Tc，且在沿厚度方向與電容形成區域的中間部分相距所述陶瓷主體的電容形成區域的厚度的25%的點處的所述外電極的厚度為T1時，滿足0.8≤|T1/Tc|≤1.0，所述內電極在所述電容形成區域內層壓以形成電容。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，當在所述陶瓷主體的邊緣部分的所述外電極的最薄點為T3時，滿足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外電極包括小于或等于總重的60wt%的導電金屬。

4.根據權利要求3所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電金屬為選自由銅（Cu）、鎳（Ni）、銀（Ag）和銀-鈀（Ag-Pd）構成的組中的一者或多者。

5.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷主體；

多個內電極，該多個內電極層壓在所述陶瓷主體內；以及

外電極，該外電極形成在所述陶瓷主體的外表面上并與所述內電極電連接，

所述外電極的平均厚度為小于或等于10μm，并且當在所述陶瓷主體的沿厚度方向的中間部分的所述外電極的厚度為Tc，且在其中層壓所述內電極以形成電容的所述陶瓷主體的最外的內電極處的所述外電極的厚度為T2時，滿足0.5≤|T2/Tc|≤1.0。

6.根據權利要求5所述的多層陶瓷電子元件，其中，當在所述陶瓷主體的邊緣部分的所述外電極的最薄點為T3時，滿足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

7.根據權利要求5所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外電極包括小于或等于總重的60wt%的導電金屬。

8.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電金屬為選自由銅（Cu）、鎳（Ni）、銀（Ag）和銀-鈀（Ag-Pd）構成的組中的一者或多者。

9.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷主體；

多個內電極，該多個內電極層壓在所述陶瓷主體內；以及

外電極，該外電極形成在所述陶瓷主體的外表面上并與所述內電極電連接，

所述外電極的平均厚度為小于或等于10μm，并且當在所述陶瓷主體的沿厚度方向的中間部分的所述外電極的厚度為Tc，且在沿厚度方向與電容形成區域的中間部分相距所述陶瓷主體（10）的電容形成區域的厚度的25%的點處的所述外電極的厚度為T1時，且在其中形成所述內電極以形成電容的所述陶瓷主體的最外的內電極處的所述外電極的厚度為T2，滿足0.8≤|T1/Tc|≤1.0和0.5≤|T2/Tc|≤1.0，所述內電極在所述電容形成區域內層壓以形成電容。

10.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，當在所述陶瓷主體的邊緣部分的所述外電極的最薄點為T3時，滿足0.2≤|T3/Tc|≤1.0。

11.根據權利要求9所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述外電極包括小于或等于總重的60wt%的導電金屬。

12.根據權利要求11所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述導電金屬為選自由銅（Cu）、鎳（Ni）、銀（Ag）和銀-鈀（Ag-Pd）構成的組中的一者或多者。