[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201210371991.5 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN102867823A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 周紀登 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/544;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術
在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的產品開發過程中,會出現面板(panel)的各種不良,迅速解決或修復這些不良的能力是衡量一個公司產品開發水平的一個重要指標。傳統的陣列基板如圖1a和1b所示,包括:若干柵線1、數據線2及柵線1和數據線2圍成的若干像素單元,對于Cs?on?common的結構如圖1a,還包括公共電極線5。其中像素單元包括:TFT3和像素電極4,該陣列基板上只有在柵線1(gate線)和數據線2(data線)兩端才有每條柵線1和數據線2的序號,所以在解析或修復不良時很難在陣列基板的有源(active)區域精確地辨識出每個子像素的具體坐標位置。現有的解析方法是借助激光在某個像素打上標記,然后細心尋線到對應的data?pad和gatepad,最后才能確定出該像素的具體坐標,不難看出這種方法不僅耗時,而且會對樣品造成無法復原的破壞,此時如果要利用SEM,TEM,FIB,EDX等手段對該像素附近的區域做線寬、膜厚、元素成分的測試,則無法獲得真實的數據。因此,尋求一種在陣列基板上設計像素坐標的方案可以方便的解決這一難題。隨著TFT-LCD行業的飛速發展,在開發階段提高解決或修復不良的能力已變得尤為重要。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是:如何快速確定像素單元的位置。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明提供了一種陣列基板,包括若干柵線、數據線及所述柵線和數據線圍成的若干像素單元,所述陣列基板的每個像素單元中,與成盒后的黑矩陣對應區域的各膜層之一上設置有標識所述像素單元坐標的標志。
其中,所述像素單元包括:像素電極,所述像素電極上設有標識有所述標志的突出部,所述突出部與圍成該像素單元的一條柵線重疊。
其中,每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極的同一側,且與圍成該像素單元的同一側的柵線重疊。
其中,所述像素單元包括:像素電極,所述像素電極上設有標識有所述標志的突出部,所述突出部與圍成該像素單元的一條數據線重疊。
其中,每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極的同一側,且與圍成該像素單元的同一側的數據線重疊。
其中,所述像素單元包括:像素電極和公共電極,所述像素電極或公共電極上設有標識有所述標志的突出部,所述突出部與圍成該像素單元的一條柵線重疊。
其中,每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側,且與圍成該像素單元的同一側的柵線重疊。
其中,所述像素單元包括:像素電極和公共電極,所述像素電極或公共電極上設有標識有所述標志的突出部,所述突出部與圍成該像素單元的一條數據線重疊。
其中,每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側,且與圍成該像素單元的同一側的數據線重疊。
其中,所述標識所述像素單元坐標的標志為標識圍成所述像素單元的柵線和數據線各自的序號組成的圖案。
本發明還提供了一種陣列基板制作方法,包括在基板上制作陣列基板各膜層圖案的步驟,在形成其中任一膜層的圖案時,在該膜層上與黑矩陣對應區域,采用構圖工藝形成標識像素單元坐標的標志。
其中,所述采用構圖工藝形成標識像素單元坐標的標志方式為:在采用掩膜工藝形成所述膜層圖案的同時,在掩膜板上增加所述標識像素單元坐標的標志的圖案。
其中,所述任一膜層的圖案為像素電極圖案,形成所述像素電極圖案的步驟為:
在當前基板上形成像素電極金屬薄膜,并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠;
采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影,去除像素電極區域以外的光刻膠,所述像素電極區域與其最近的一條柵線或一條數據線重疊,且去除重疊區域上所述標志對應區域的光刻膠;
刻蝕掉暴露出的像素電極金屬薄膜,去除剩余的光刻膠,以形成像素電極及位于所述重疊區域的刻蝕有所述標志的像素電極的突出部。
其中,陣列基板上每個所述像素電極區域與其同一側最近的一條柵線或數據線重疊
其中,所述任一膜層的圖案為公共電極圖案,形成所述公共電極圖案的步驟為:
在當前基板上形成公共電極金屬薄膜,并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠;
采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影,去除公共電極區域以外的光刻膠,所述公共電極區域與其最近的一條柵線或一條數據線重疊,且去除重疊區域上所述標志對應區域的光刻膠;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





