[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210371991.5
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102867823A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周紀登
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/544;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，包括若干柵線、數(shù)據(jù)線及所述柵線和數(shù)據(jù)線圍成的若干像素單元，其特征在于，所述陣列基板的每個像素單元中，與成盒后的黑矩陣對應(yīng)區(qū)域的各膜層之一上設(shè)置有標識所述像素單元坐標的標志。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元包括：像素電極，所述像素電極上設(shè)有標識有所述標志的突出部，所述突出部與圍成該像素單元的一條柵線重疊。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的柵線重疊。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元包括：像素電極，所述像素電極上設(shè)有標識有所述標志的突出部，所述突出部與圍成該像素單元的一條數(shù)據(jù)線重疊。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的數(shù)據(jù)線重疊。

6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元包括：像素電極和公共電極，所述像素電極或公共電極上設(shè)有標識有所述標志的突出部，所述突出部與圍成該像素單元的一條柵線重疊。

7.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的柵線重疊。

8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元包括：像素電極和公共電極，所述像素電極或公共電極上設(shè)有標識有所述標志的突出部，所述突出部與圍成該像素單元的一條數(shù)據(jù)線重疊。?

9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，每個所述像素單元中的突出部位于所述像素電極或公共電極的同一側(cè)，且與圍成該像素單元的同一側(cè)的數(shù)據(jù)線重疊。

10.如權(quán)利要求1~9中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述標識所述像素單元坐標的標志為標識圍成所述像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。

11.一種陣列基板制作方法，包括在基板上制作陣列基板各膜層圖案的步驟，其特征在于，在形成其中任一膜層的圖案時，在該膜層上與黑矩陣對應(yīng)區(qū)域，采用構(gòu)圖工藝形成標識像素單元坐標的標志。

12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述采用構(gòu)圖工藝形成標識像素單元坐標的標志方式為：在采用掩膜工藝形成所述膜層圖案的同時，在掩膜板上增加所述標識像素單元坐標的標志的圖案。

13.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述任一膜層的圖案為像素電極圖案，形成所述像素電極圖案的步驟為：

在當前基板上形成像素電極金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠；

采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，去除像素電極區(qū)域以外的光刻膠，所述像素電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上所述標志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；

刻蝕掉暴露出的像素電極金屬薄膜，去除剩余的光刻膠，以形成像素電極及位于所述重疊區(qū)域的刻蝕有所述標志的像素電極的突出部。

14.如權(quán)利要求13所述的陣列基板制作方法，其特征在于，陣列基板上每個所述像素電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊。?

15.如權(quán)利要求11所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述任一膜層的圖案為公共電極圖案，形成所述公共電極圖案的步驟為：

在當前基板上形成公共電極金屬薄膜，并在所述金屬薄膜上述涂覆光刻膠；

采用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，去除公共電極區(qū)域以外的光刻膠，所述公共電極區(qū)域與其最近的一條柵線或一條數(shù)據(jù)線重疊，且去除重疊區(qū)域上所述標志對應(yīng)區(qū)域的光刻膠；

刻蝕掉暴露出的公共電極金屬薄膜，去除剩余的光刻膠，以形成公共電極及位于所述重疊區(qū)域的刻蝕有所述標志的公共電極的突出部。

16.如權(quán)利要求15所述的陣列基板制作方法，其特征在于，陣列基板上每個所述公共電極區(qū)域與其同一側(cè)最近的一條柵線或數(shù)據(jù)線重疊。

17.如權(quán)利要求11~16中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述標識像素單元坐標的標志為標識圍成所述像素單元的柵線和數(shù)據(jù)線各自的序號組成的圖案。

18.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~10中任一項所述的陣列基板。?