[發(fā)明專利]襯底處理設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210371923.9 | 申請日: | 2012-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103515190A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張承逸;安吉秀 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社MM科技 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;張洋 |
| 地址: | 韓國京畿道安山市檀園區(qū)木內(nèi)*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 設(shè)備 | ||
相關(guān)專利申請案的交叉參考
本申請案主張2012年6月25日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局申請的第10-2012-068175號韓國專利申請案的權(quán)益,該案的揭示內(nèi)容全部以引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及襯底處理設(shè)備。
背景技術(shù)
包含薄膜晶體管的顯示裝置的襯底以及半導(dǎo)體裝置的襯底經(jīng)歷表面處理工藝,以從襯底表面移除二氧化硅膜或使硅膜的表面平面化。
通過將包含蝕刻劑等處理液的處理介質(zhì)涂覆到襯底表面而執(zhí)行表面處理工藝。
由于包含處理液的處理介質(zhì)的污染,安裝在處理室內(nèi)的襯底處理設(shè)備可能容易腐蝕。因此,安裝在處理室內(nèi)或外的設(shè)備由具有高耐腐蝕性和高耐化學(xué)性的材料制成。這就是此設(shè)備成本高的原因。并且,例如復(fù)雜的提升系統(tǒng)等一些設(shè)備不可安裝在處理室內(nèi)或外。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種襯底處理設(shè)備,所述襯底處理設(shè)備可配置在處理室內(nèi)或外并且具有低成本和高耐久性。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種襯底處理設(shè)備,包含:處理室,在其側(cè)壁中具有至少一狹縫,其中待處理的襯底放在處理室內(nèi);噴射單元,定位在處理室內(nèi)以將處理介質(zhì)噴到襯底上;驅(qū)動單元,定位在處理室外,通過所述狹縫而連接到噴射單元并且在襯底的表面方向上移動噴射單元;以及密封單元,介入在噴射單元與驅(qū)動單元之間并且密封驅(qū)動單元使其不受處理室的內(nèi)部氣氛影響。
密封單元可包含:水套,靠近狹縫而安置并且填充有水;蓋構(gòu)件,安置在水套上,使得蓋構(gòu)件的下邊緣單元浸在水中;以及第一連接構(gòu)件,將蓋構(gòu)件連接到驅(qū)動單元。
水套可包含:第一容納單元,靠近狹縫而延伸并且填充有水;延伸單元,靠近狹縫的另一側(cè)而延伸并且面對第一容納單元;以及第二容納單元,從延伸單元延伸,以容納水。
蓋構(gòu)件可包含與第一連接構(gòu)件組合的第一蓋構(gòu)件以及與第一蓋構(gòu)件組合的第二蓋構(gòu)件。
第一蓋構(gòu)件可由剛性材料形成并且第二蓋構(gòu)件可經(jīng)形成以沿著狹縫的長度方向延伸和收縮。
第二蓋構(gòu)件可為波紋管式的。
襯底處理設(shè)備可還包含在第一蓋構(gòu)件與水套之間的至少一個軸承。
襯底處理設(shè)備可還包含連接到第一連接構(gòu)件和噴射單元的第二連接構(gòu)件。
驅(qū)動單元可包含在狹縫的長度方向上延伸的軌道以及沿著軌道線性地移動的移動單元,其中第一連接構(gòu)件連接到移動單元。
襯底處理設(shè)備可還包含供應(yīng)管,所述供應(yīng)管定位在第一和第二連接構(gòu)件中并且將處理介質(zhì)供應(yīng)到噴射單元。
襯底處理設(shè)備可還包含:第一工作臺,定位在處理室內(nèi)并且在上面放置襯底;多個支架,連接到第一工作臺;以及提升單元,經(jīng)裝備以通過連接到支架中的至少一個而上下移動第一工作臺。
狹縫的長度可大于第一工作臺的長度,并且狹縫的末端可與第一工作臺的末端分開達噴射單元的寬度。
襯底處理設(shè)備可還包含:第二工作臺,在處理室內(nèi)固定地安置以面對第一工作臺,其中支架中的至少一個穿過第二工作臺;以及多個保護構(gòu)件,安置在第一工作臺與第二工作臺之間,圍繞支架中的每一個,并且經(jīng)裝備以延伸和收縮。
根據(jù)本發(fā)明,從處理室內(nèi)到處理室外的氣體泄漏被阻斷,因此,可防止對處理系統(tǒng)和/或驅(qū)動單元的污染和損害。
并且,當(dāng)使用濕式處理設(shè)備時,可提高系統(tǒng)的耐久性。
在以直列形狀布置的襯底表面處理系統(tǒng)中,襯底處理系統(tǒng)可用作改變襯底的方向的方向轉(zhuǎn)換設(shè)備。
由于形成上下移動工作臺的提升系統(tǒng)的支架和提升單元受到保護而不會被處理介質(zhì)污染,所以沒有必要通過使用昂貴的抗腐蝕和/或高耐化學(xué)性的材料而形成支架和/或提升單元,從而降低設(shè)備成本。
并且,盡管在處理室內(nèi)安裝了濕式處理系統(tǒng),但是也可在處理室內(nèi)安裝提升系統(tǒng)。
處理介質(zhì)的散布得以防止,并且因此,處理室的上表面和底表面可受到保護。
由于處理介質(zhì)可平滑地操縱和排出,所以可減少環(huán)境污染。
附圖說明
通過參考附圖對本發(fā)明的示范性實施例進行詳細描述,本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點將變得更為淺顯易懂,其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的襯底處理設(shè)備的側(cè)視圖的示意圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的圖1的襯底處理設(shè)備的前視圖的示意圖;
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的圖1的襯底處理設(shè)備的密封單元和驅(qū)動單元的截面圖;
圖4是根據(jù)本發(fā)明的一實施例的圖1的襯底處理設(shè)備的密封單元和驅(qū)動單元的平面圖;
圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的密封單元和驅(qū)動單元的平面圖;以及
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





