[發(fā)明專利]襯底處理設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210371923.9 | 申請日: | 2012-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103515190A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張承逸;安吉秀 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社MM科技 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明;張洋 |
| 地址: | 韓國京畿道安山市檀園區(qū)木內(nèi)*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 設(shè)備 | ||
1.一種襯底處理設(shè)備,包括:
處理室,在其至少一側(cè)壁中具有狹縫,其中待處理的襯底放在所述處理室內(nèi);
噴射單元,定位在所述處理室內(nèi)以將處理介質(zhì)噴到所述襯底上;
驅(qū)動單元,定位在所述處理室外,通過所述狹縫而連接到所述噴射單元,并且在所述襯底的表面方向上移動所述噴射單元;以及
密封單元,介入在所述噴射單元與所述驅(qū)動單元之間并且密封所述驅(qū)動單元使其不受所述處理室的內(nèi)部氣氛影響。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述密封單元包括:
水套,靠近所述狹縫而安置并且填充有水;
蓋構(gòu)件,安置在所述水套上,使得所述蓋構(gòu)件的下邊緣浸在水中;以及
第一連接構(gòu)件,將所述蓋構(gòu)件連接到所述驅(qū)動單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述水套包括:
第一容納單元,靠近所述狹縫的一側(cè)而延伸并且填充有水;
延伸單元,靠近所述狹縫的另一側(cè)而延伸并且面對所述第一容納單元;以及
第二容納單元,從所述延伸單元延伸,以容納水。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述蓋構(gòu)件包括:
與第一連接構(gòu)件組合的第一蓋構(gòu)件;以及
與所述第一蓋構(gòu)件組合的第二蓋構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述第一蓋構(gòu)件由剛性材料形成并且所述第二蓋構(gòu)件經(jīng)形成以沿著所述狹縫的長度方向延伸和收縮。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述第二蓋構(gòu)件是波紋管式的。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理設(shè)備,還包括在所述第一蓋構(gòu)件與所述水套之間的至少一個軸承。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備,還包括連接到所述第一連接構(gòu)件和所述噴射單元的第二連接構(gòu)件。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述驅(qū)動單元包括在所述狹縫的長度方向上延伸的軌道以及沿著所述軌道線性地移動的移動單元,其中所述第一連接構(gòu)件連接到所述移動單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理設(shè)備,還包括供應(yīng)管,所述供應(yīng)管定位在所述第一連接構(gòu)件和所述第二連接構(gòu)件中并且將處理介質(zhì)供應(yīng)到所述噴射單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的襯底處理設(shè)備,還包括:
第一工作臺,定位在所述處理室內(nèi)并且在上面放置所述襯底;
多個支架,連接到所述第一工作臺;以及
提升單元,經(jīng)裝備以通過連接到所述支架中的至少一個而上下移動所述第一工作臺。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理設(shè)備,其特征在于所述狹縫的長度大于所述第一工作臺的長度,并且所述狹縫的末端與所述第一工作臺的末端分開達(dá)所述噴射單元的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理設(shè)備,還包括:
第二工作臺,在所述處理室內(nèi)固定地安置以面對所述第一工作臺,其中所述支架中的至少一個穿過所述第二工作臺;以及
多個保護(hù)構(gòu)件,安置在所述第一工作臺與所述第二工作臺之間,圍繞所述支架中的每一個,并且經(jīng)裝備以延伸和收縮。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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