[發明專利]有機薄膜晶體管、制造有機薄膜晶體管的方法和顯示器

無效

• 申請號: 201210371167.X
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103050625A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 牛倉信一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 張英;王玉桂

1.一種有機薄膜晶體管，包括：

由有機材料制成的半導體層；

柵電極；

各自至少部分設置在所述半導體層上方的源電極和漏電極；以及

包含導電性因還原反應而變化的氧化物的導電層，所述導電層設置在分別面對設置在所述半導體層上方的所述源電極和所述漏電極的第一區域和第二區域的每一個中。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中，

在所述半導體層上，在所述第一區域、所述第二區域以及所述第一區域與所述第二區域之間的第三區域中設置包含氧化物的氧化物層，

所述導電層通過將所述氧化物層的選擇性部分還原而構造，所述選擇性部分對應于所述第一區域和所述第二區域中的每一個，并且

在所述氧化物層的所述第三區域中顯示絕緣性。

3.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中，所述氧化物是石墨烯氧化物。

4.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中，所述源電極和所述漏電極各自被圖案化成與所述導電層相同的形狀。

5.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中，

在基板上的選擇性區域中設置所述柵電極，并且

在所述柵電極上設置所述半導體層，其中在所述半導體層與所述柵電極之間設置有柵極絕緣膜。

6.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管，其中，

所述柵電極使用由金、鋁、銀、銅、鉑、鎳中的一種制成的單層膜，或者包含這些材料中的兩種以上的層壓膜構造。

7.一種有機薄膜晶體管，包括：

由有機材料制成的半導體層；

柵電極、源電極和漏電極；以及

設置在所述源電極和所述漏電極與所述半導體層之間的氧化物層，所述氧化物層在分別面對所述源電極和所述漏電極的所述第一區域和所述第二區域中顯示導電性，并且所述氧化物層在所述第一區域與所述第二區域之間的第三區域中顯示絕緣性。

8.根據權利要求7所述的有機薄膜晶體管，其中，所述氧化物層包含導電性因還原反應而變化的氧化物。

9.根據權利要求8所述的有機薄膜晶體管，其中，所述氧化物層通過將其對應于所述第一區域和所述第二區域中的每一個的選擇性部分還原而構造。

10.根據權利要求8所述的有機薄膜晶體管，其中，所述氧化物是石墨烯氧化物。

11.根據權利要求7所述的有機薄膜晶體管，其中，在所述半導體層上設置所述源電極和所述漏電極，其中在所述源電極和所述漏電極與所述半導體層之間設置有所述氧化物層。

12.一種制造有機薄膜晶體管的方法，所述方法包括：

形成由有機材料制成的半導體層；

形成柵電極；

形成源電極和漏電極；以及

形成氧化物層，所述氧化物層在其中分別待形成所述源電極和所述漏電極的第一區域和第二區域中顯示導電性，所述氧化物層在所述第一區域與所述第二區域之間的第三區域中顯示絕緣性。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，在形成所述氧化物層中，使用導電性因還原反應而變化的氧化物。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，在形成所述氧化物層中，在所述第一區域至所述第三區域中形成由所述氧化物制成的氧化物膜，然后在所述第一區域和所述第二區域中對所述氧化物膜進行還原處理。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，在所述還原處理中選擇性地露出所述氧化物層中的對應于所述第一區域和所述第二區域中的每一個的部分。

16.根據權利要求12所述的方法，還包括：

在形成所述氧化物層之后選擇性地除去所述氧化物層的對應于所述第三區域的部分。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，使用水或水溶液將所述氧化物層的對應于所述第三區域的所述部分除去。

18.根據權利要求13所述的方法，其中，將石墨烯氧化物用作所述氧化物。

19.根據權利要求12所述的方法，其中，在形成所述半導體層之后并且在形成所述源電極和所述漏電極之前進行形成所述氧化物層。