[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)薄膜晶體管、制造有機(jī)薄膜晶體管的方法和顯示器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210371167.X
• 申請(qǐng)日: 2012-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103050625A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛倉(cāng)信一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/10
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/10;H01L51/05;H01L51/40
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 張英;王玉桂

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用例如有機(jī)半導(dǎo)體的有機(jī)薄膜晶體管（TFT）。

背景技術(shù)

通常，存在各種TFT，包括各自將無(wú)機(jī)材料用于充當(dāng)有源層的半導(dǎo)體層的TFT（即無(wú)機(jī)TFT），和各自將有機(jī)材料用于半導(dǎo)體層的有機(jī)TFT。已經(jīng)追求了有機(jī)TFT作為用于柔性顯示器的驅(qū)動(dòng)裝置的開(kāi)發(fā)。有機(jī)TFT包括各自具有所謂的底部接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)TFT（參見(jiàn)，例如,“Direct?lithographic?top?contacts?for?pentacene?organic?thin-film?transistors”，C.-C.Kuo，T.N?Jackson，[online]，APPLIED?PHYSICS?LETTERS?94，053304（2009））和各自具有所謂的頂部接觸結(jié)構(gòu)的有機(jī)TFT（參見(jiàn)，例如，Integration?of?reduced?graphene?oxide?into?organic?field-effect?transistors?as?conducting?electrodes?and?as?a?metal?modification?layer，Chen-Guan?Lee和three?others，[online]，APPLIED?PHYSICS?LETTERS?95，023304（2009））。

發(fā)明內(nèi)容

然而，關(guān)于上述有機(jī)TFT，特別是在采用頂部接觸結(jié)構(gòu)的情況下，當(dāng)形成源電極和漏電極時(shí)，必須對(duì)半導(dǎo)體層上的導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻。因此，半導(dǎo)體層容易被損壞。因此，存在不利地影響晶體管性能的缺點(diǎn)。另外，還存在另一個(gè)缺點(diǎn)，即，難以確保由有機(jī)材料制成的半導(dǎo)體層與源電極和漏電極之間的良好接觸（電連接）（即，限制了實(shí)現(xiàn)良好接觸的電極材料，且其選擇性差）。

期望提供一種有機(jī)薄膜晶體管、制造所述有機(jī)薄膜晶體管的方法和顯示器，其能夠確保半導(dǎo)體層與源極和漏極之間的良好接觸。還期望提供一種有機(jī)薄膜晶體管、制造所述有機(jī)薄膜晶體管的方法和顯示器，其能夠減少特別是在采用頂部接觸結(jié)構(gòu)的情況下，在制造工藝中對(duì)半導(dǎo)體層的損壞。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了第一有機(jī)薄膜晶體管，包括：由有機(jī)材料制成的半導(dǎo)體層；柵電極；各自至少部分設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上方的源電極和漏電極；和包含導(dǎo)電性因還原反應(yīng)（還原，reduction）而變化的氧化物的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層設(shè)置在分別面對(duì)設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上方的所述源電極和所述漏電極的第一區(qū)域和第二區(qū)域的每一個(gè)中。

在根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施方式的第一有機(jī)薄膜晶體管中，所述導(dǎo)電層設(shè)置在面對(duì)所述半導(dǎo)體層上方的所述源電極和所述漏電極的第一區(qū)域和第二區(qū)域的每一個(gè)中。該導(dǎo)電層包括導(dǎo)電性因還原反應(yīng)而變化的氧化物。這使得所述導(dǎo)電層可以充當(dāng)所述半導(dǎo)體層與所述源電極和所述漏電極之間的接觸層。另外，特別是在采用頂部接觸結(jié)構(gòu)的情況下，使得在制造工藝中可以在半導(dǎo)體層上形成蝕刻阻擋層（蝕刻停止層，etching?stopper?layer）。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了第二有機(jī)薄膜晶體管，包括：由有機(jī)材料制成的半導(dǎo)體層；柵電極、源電極和漏電極；和設(shè)置在所述源電極和所述漏電極與所述半導(dǎo)體層之間的氧化物層，所述氧化物層在分別面對(duì)所述源電極和所述漏電極的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中顯示導(dǎo)電性，并且所述氧化物層在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域中顯示絕緣性。

在根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施方式的第二有機(jī)薄膜晶體管中，提供氧化物層，所述氧化物層在分別面對(duì)所述源電極和所述漏電極的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中顯示導(dǎo)電性，并且在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域中顯示絕緣性。這使得所述氧化物層的對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的每一個(gè)的部分可充當(dāng)所述半導(dǎo)體層與所述源電極和所述漏電極之間的接觸層。另外，特別是在采用頂部接觸結(jié)構(gòu)的情況下，使得在制造工藝中所述氧化物層可以充當(dāng)半導(dǎo)體層上的蝕刻阻擋層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種制造有機(jī)薄膜晶體管的方法，所述方法包括：形成由有機(jī)材料制成的半導(dǎo)體層；形成柵電極；形成源電極和漏電極；和形成氧化物層，所述氧化物層在其中分別待形成所述源電極和所述漏電極的第一區(qū)域和第二區(qū)域中顯示導(dǎo)電性，所述氧化物層在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的第三區(qū)域中顯示絕緣性。