[發明專利]堆疊半導體器件

無效

• 申請號: 201210371028.7
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035629A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 佩里·H·派萊伊;凱文·J·埃斯;邁克爾·B·麥克沙恩
• 申請（專利權）人: 飛思卡爾半導體公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/367
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李佳;穆德駿

1.一種堆疊半導體器件，包括：

第一半導體器件，所述第一半導體器件具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面，所述第一半導體器件的所述第一主表面具有：

有源電路;

斜面邊緣，所述斜面邊緣位于所述第一半導體器件的至少一個邊緣上；以及

探針墊，所述探針墊延伸到所述第一半導體器件的所述斜面邊緣上；以及

第二半導體器件，所述第二半導體器件具有第一主表面和與所述第一主表面相對的第二主表面，所述第二半導體器件的所述第一主表面具有：

有源電路;

斜面邊緣，所述斜面邊緣位于所述第二半導體器件的至少一個邊緣上；以及

探針墊，所述探針墊延伸到所述第二半導體器件的所述斜面邊緣上；

其中：

所述第一半導體器件的所述第一主表面面向所述第二半導體器件的所述第一主表面，使得所述第一半導體器件和所述第二半導體器件的所述第一主表面位于所述第一半導體器件和所述第二半導體器件的所述第二主表面之間，并且其中所述第一半導體器件的所述斜面邊緣面向所述第二半導體器件的所述斜面邊緣，使得在所述堆疊半導體器件的第一垂直邊上的所述第一半導體器件和所述第二半導體器件的所述斜面邊緣之間形成第一開口。

2.根據權利要求1所述的堆疊半導體器件，其中所述第一開口的所述斜面邊緣能夠將探針尖端對齊到所述第一半導體器件的所述探針墊。

3.根據權利要求1所述的堆疊半導體器件，其中：

所述第一半導體器件的所述探針墊電耦合于所述第一半導體器件的所述有源電路；

所述第二半導體器件的所述探針墊電耦合于所述第二半導體器件的所述有源電路；

4.根據權利要求1所述的堆疊半導體器件，其中所述第一半導體器件和所述第二半導體器件中的每個包括導電面，其中：

所述第一半導體器件的所述探針墊電耦合于所述第一半導體器件的所述導電面；以及

所述第二半導體器件的所述探針墊電耦合于所述第二半導體器件的所述導電面。

5.根據權利要求4所述的堆疊半導體器件，還包括：

散熱器(806)，所述散熱器(806)被附著到所述堆疊半導體器件的所述第一垂直邊上，所述散熱器具有:

第一突出部分，所述第一突出部分插入到位于所述第一半導體器件和所述第二半導體器件的所述斜面邊緣之間的所述第一開口中，并且與所述第一半導體器件和所述第二半導體器件中每一個的所述探針墊相接觸。

6.根據權利要求1所述的堆疊半導體器件，還包括：

多個連續導電通孔，其中所述多個連續導電通孔的每個連續導電通孔從所述第一半導體器件的所述第二主表面、穿過所述第一半導體器件延伸到所述第二半導體器件的所述第一主表面。

7.根據權利要求6所述的堆疊半導體器件，其中所述多個連續導電通孔的至少一個連續導電通孔(802)耦合于所述第一半導體器件和所述第二半導體器件中每一個的所述有源電路(103)。

8.根據權利要求6所述的堆疊半導體器件，其中：

所述第一半導體器件的所述有源電路包括熔絲，所述熔絲耦合于所述第一半導體器件的所述探針墊和所述多個連續導電通孔的第一連續導電通孔;以及

所述第二半導體器件的所述有源電路包括熔絲，所述熔絲耦合于所述第二半導體器件的所述探針墊和所述多個連續導電通孔的第二連續導電通孔。

9.根據權利要求1所述的堆疊半導體器件，其中所述第一半導體器件和所述第二半導體器件中的每一個的進一步特征是存儲器器件。

10.根據權利要求1所述的堆疊半導體器件，其中：

所述第一半導體器件的所述第一主表面在所述第一半導體器件的第二邊緣處具有第二斜面邊緣，以及具有延伸到所述第一半導體器件所述第二斜面邊緣上的第二探針墊；以及

所述第二半導體器件的所述第一主表面在所述第二半導體器件的第二邊緣處具有第二斜面邊緣，以及具有延伸到所述第二半導體器件所述第二斜面邊緣上的第二探針墊。