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[發明專利]一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法無效

專利信息
申請號: 201210369967.8 申請日: 2012-09-28
公開(公告)號: CN103713284A 公開(公告)日: 2014-04-09
發明(設計)人: 閆華;董純柱;王超 申請(專利權)人: 中國航天科工集團第二研究院二O七所
主分類號: G01S13/06 分類號: G01S13/06;G01S7/40
代理公司: 核工業專利中心 11007 代理人: 羅立冬
地址: 100854*** 國省代碼: 北京;11
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 基于 sbr po 技術 散射 中心 計算方法
【說明書】:

技術領域

發明屬于信號特征控制技術領域,具體涉及一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法。

背景技術

強散射中心的診斷是雷達目標信號特征控制領域極為重要的環節,它是能否進行有效雷達散射截面減縮措施的關鍵步驟。

在雷達散射目標的隱身設計中,常常需要首先對初始設計的目標模型進行雷達散射特性分析,并根據分析數據判斷初始目標模型的強散射貢獻部位,再對這些部位采取各種RCS減縮措施。因此,雷達散射目標中強電磁散射結構的診斷是隱身設計中的一個關鍵的環節。

目前通常采用的強散射中心診斷方法主要有RCS(雷達散射截面)方法和成像方法。RCS方法主要是通過計算全方位RCS分布來判斷產生強散射貢獻的方向,并在該方向觀察幾何外形來判斷強散射中心的部位。該方法的缺點是很大部分需要經驗支持,并且該方法較難發現分離部件產生的耦合強散射,而耦合強散射對于有些目標來說則是主要貢獻。另一種診斷方法——成像方法是一般是通過各個方向上進行二維成像并利用圖像提取強散射中心的方法。該方法可以直接獲得強散射中心的位置,可直接定位強散射中心部位,較為準確。但一方面雷達二維圖像同光學圖像存在本質的差別,在多次散射機理作用下,通過二維像獲得的某些散射中心的位置與目標表面上引起這些散射中心的部位的位置并不一致,因而難以直觀性地通過二維像確定引起強散射的部位;另一方面獲得全方位二維像需要不小的計算量,缺乏快捷性。

發明內容

本發明的目的采用一種基于SBR(射線追蹤)和PO(物理光學)的計算方法,直觀、快捷地實現雷達散射導體目標的強散射中心的定位。

本發明所采用的技術方案是:

一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,通過射線追蹤和物理光學進行熱點計算,獲得能給出目標表面每個面元的RCS貢獻的分布圖,通過比較熱點圖定位強散射部位。

如上所述的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,其中:具體可分為如下步驟:

步驟S1:建立目標的三角面元模型;

步驟S2:計算一次、二次、三次散射的熱點圖;

步驟S3:確定強散射部位。

如上所述的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,其中:所述步驟步驟S1中,在已知目標幾何模型的情況下,進行網格剖分,獲得導體目標的三角表面元模型。

如上所述的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,其中:所述步驟S2中,對于一次散射貢獻,采用Gordon公式獲得,對于二次和三次散射貢獻采用幾何光學加物理光學的方法,即在多次散射中,除了最后一次用物理光學方法來計算,前幾次的散射采用幾何光學來計算。

如上所述的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,其中:所述步驟S3中,首先選擇一個閾值,當熱點圖中存在的亮點超過閾值,則確定該亮點為強散射中心;通過已確定的強散射中心的位置獲得目標表面引起強散射的部位;再通過對三次散射熱點圖、二次散射熱點圖、一次散射熱點圖之間的比較確定強散射中心的機理類型。

如上所述的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,其中:所述步驟S2中,在計算二次和三次散射貢獻時,邊緣貢獻采用等效邊緣電流法來計算,中間反射利用Snell公式來追蹤射線的路徑;在獲得每個面元的一次、二次、三次散射貢獻后,利用OpenGL將其數值用顏色表示在目標模型表面所對應的三角面元上表示目標表面不同部位對總散射的貢獻程度。

本發明的有益效果是:

(1)快捷。與低頻法相比,采用SBR和PO方法計算目標熱點具有較高的效率。

(2)直觀。熱點貢獻附在目標三維模型表面上,可直觀的分析強散射貢獻部位。

(3)可追蹤分離的二次、三次強耦合結構。目標上分離的部位的耦合產生的強多次散射,常常不容易發現,通過熱點圖可將這些隱含的強散射結構找出來。

附圖說明

圖1為本發明提供的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法的流程圖;

圖2為熱點計算原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明提供的一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法進行介紹:

如圖1所示,一種基于SBR與PO技術的強散射中心計算方法,通過射線追蹤和物理光學進行熱點計算,獲得能給出目標表面每個面元的RCS貢獻的分布圖(即熱點圖),通過熱點圖則可直觀地獲得那些對RCS貢獻較大的部位。

具體可分為如下步驟:

步驟S1:建立目標的三角面元模型

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