[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

有效

• 申請號: 201210369837.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103077907A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 宮城雅宏;藤川和憲
• 申請（專利權）人: 大日本網屏制造株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 宋曉寶;郭曉東

技術領域

本發明涉及處理基板的技術。

背景技術

以往，在半導體基板（下面僅稱為“基板”）的制造工序中，利用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜的基板進行各種的處理。例如，通過向在表面上形成抗蝕劑的圖案的基板供給藥液，來對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在結束了蝕刻等處理之后，進行去除基板上的抗蝕劑的處理。

在日本特開2009-200365號公報的基板處理裝置中，在通過SPM（sulfuric?acid/hydrogen?peroxide?mixture：硫酸-過氧化氫混合物）液等藥液進行處理之前，向基板上的處理區域供給電導率比藥液的電導率低的液體，在該液體存在于處理區域上的狀態下向處理區域噴出藥液，來防止因基板和藥液間的接觸而使基板局部損傷。基板的局部的損傷是指處理區域中的場氧化膜（field?oxide）或柵氧化膜（gate?oxide）的破壞，該破壞是由于藥液和藥液用噴嘴間的摩擦帶電現象而藥液以帶電的狀態與基板的處理區域接觸而產生的。

但是，針對在基板處理裝置中處理的基板，在搬入至基板處理裝置之前，進行干式蝕刻或等離子CVD（Chemical?Vapor?Deposition）等干燥工序。在這樣的干燥工序中，在器件內產生電荷而帶電，因此基板以帶電的狀態搬入至基板處理裝置。并且，在基板處理裝置中，當向基板上供給如SPM液那樣的電阻率小的藥液時，器件內的電荷急劇地從器件向藥液移動（即向藥液中放電），伴隨該移動而產生的熱量，器件有可能發生損傷。因此，在向基板供給藥液之前，考慮通過電離器對基板進行除電處理，但是在基板的帶電量大的情況下，難以有效地進行除電處理。

另一方面，在日本特開2009-200365號公報的基板處理裝置中，例如，在進行藥液處理之前向基板上供給的液體中包含水的情況下，在進行藥液處理時，作為藥液的SPM液中的硫酸和水發生反應，反應熱有可能給基板帶來損傷。另外，當將被水稀釋的藥液供給至基板時，有可能降低基板的處理質量。當藥液和水部分進行混合時，藥液濃度不均勻，從而有可能降低整個基板的處理的均勻性。

發明內容

本發明涉及用于處理基板的基板處理裝置，其目的在于防止在通過處理液進行處理時因電荷的移動引起的基板的損傷，另外，防止因處理液和其他的液體進行混合引起的惡劣影響。

本發明的基板處理裝置，具有：基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板；處理液供給部，向上述基板的上述主表面上供給處理液；除電液供給部，將包含離子的液體或者純水作為電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給上述基板的上述主表面；電阻率設定部，用于設定上述除電液的目標電阻率；控制部，通過控制上述處理液供給部以及上述除電液供給部，控制上述除電液中的離子濃度來將上述除電液的電阻率維持在上述目標電阻率，并且將上述除電液供給上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。根據本發明，能夠防止在通過處理液進行處理時因電荷的移動引起的基板的損傷。

在本發明的一個優選的方式中，在上述電阻率設定部中，在上述基板上預先形成的器件的尺寸越小，設定越大的目標電阻率。

在本發明的其他優選的方式中，上述處理液為將加熱了的硫酸和雙氧水進行混合的SPM液，上述規定的處理為SPM處理。

在本發明的其他優選的方式中，上述除電液為包含上述離子的液體，包含上述離子的液體為在純水中溶解有二氧化碳的液體。

在發明的一個方面中，基板處理裝置具有：基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板；處理液供給部，向上述基板的上述主表面上供給處理液；除電液供給部，將電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面上；液體去除部，用于去除上述基板的上述主表面上的液體；控制部，通過控制上述處理液供給部、上述除電液供給部以及上述液體去除部，將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，從上述主表面上去除上述除電液，然后，將上述處理液供給上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。由此，能夠防止在通過處理液進行處理時因電荷的移動引起的基板的損傷，并且能夠防止因處理液和其他的液體進行混合引起的惡劣影響。