[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210369837.4
• 申請(qǐng)日: 2012-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103077907A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮城雅宏;藤川和憲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 宋曉寶;郭曉東

1.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于，

具有：

基板保持部，以使基板的主表面朝向上側(cè)的狀態(tài)保持基板；

處理液供給部，向上述基板的上述主表面供給處理液；

除電液供給部，將包含離子的液體或者純水作為電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面；

電阻率設(shè)定部，用于設(shè)定上述除電液的目標(biāo)電阻率；

控制部，通過(guò)控制上述處理液供給部以及上述除電液供給部，從而控制上述除電液中的離子濃度來(lái)將上述除電液的電阻率維持在上述目標(biāo)電阻率，并且將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個(gè)上述主表面，之后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來(lái)進(jìn)行規(guī)定的處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述電阻率設(shè)定部中，在上述基板上預(yù)先形成的器件的尺寸越小設(shè)定越大的目標(biāo)電阻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述電阻率設(shè)定部中，基于對(duì)上述基板進(jìn)行的處理的種類來(lái)設(shè)定目標(biāo)電阻率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為將加熱了的硫酸和雙氧水進(jìn)行混合的SPM液，上述規(guī)定的處理為SPM處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為緩沖氫氟酸，上述規(guī)定的處理為蝕刻處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述除電液為包含上述離子的液體，

包含上述離子的液體為在純水中溶解有二氧化碳的液體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，上述控制部通過(guò)控制溶解于上述純水中的二氧化碳的量，來(lái)將上述除電液的電阻率維持在上述目標(biāo)電阻率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于，上述除電液是在純水中溶解有氨的液體，或者是在純水中加入稀鹽酸的液體。

9.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于，

具有：

基板保持部，以使基板的主表面朝向上側(cè)的狀態(tài)保持基板；

處理液供給部，向上述基板的上述主表面上供給處理液；

除電液供給部，將電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面；

液體去除部，用于去除上述基板的上述主表面上的液體；

控制部，通過(guò)控制上述處理液供給部、上述除電液供給部以及上述液體去除部，將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個(gè)上述主表面，之后，從上述主表面上去除上述除電液，然后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來(lái)進(jìn)行規(guī)定的處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體去除部具有基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，該基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)通過(guò)使上述基板以旋轉(zhuǎn)軸為中心與上述基板保持部一同旋轉(zhuǎn)，來(lái)去除上述主表面上的液體，其中，上述旋轉(zhuǎn)軸經(jīng)過(guò)上述基板的中心并且與上述基板的上述主表面相垂直。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)停止的狀態(tài)下，或者使上述基板以比上述基板旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)去除上述主表面上的液體時(shí)的轉(zhuǎn)速小的速度旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，通過(guò)上述除電液對(duì)上述基板的整個(gè)上述主表面進(jìn)行充滿處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體去除部具有IPA供給部，該IPA供給部通過(guò)向上述基板的上述主表面上供給液狀的異丙醇，來(lái)將上述主表面上的液體從上述基板的邊緣推向外側(cè)并去除。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為對(duì)加熱了的硫酸和雙氧水進(jìn)行混合的SPM液，上述規(guī)定的處理為SPM處理。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為緩沖氫氟酸，上述規(guī)定的處理為蝕刻處理。