[發(fā)明專利]一種選擇性發(fā)射極電池片掩膜的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210369826.6
• 申請(qǐng)日: 2012-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN102903793A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧春暉;黃侖;王金偉;史孟杰;崔梅蘭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東方電氣集團(tuán)（宜興）邁吉太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 32218
• 代理人: 夏平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種選擇性發(fā)射極太陽(yáng)能電池的掩膜的制作工藝，尤其晶硅電池片制作工藝，具體地說(shuō)是一種晶硅太陽(yáng)能選擇性發(fā)射極電池片掩膜的制備方法。

背景技術(shù)

當(dāng)前選擇性發(fā)射極電池技術(shù)上有多種實(shí)現(xiàn)方法，有激光擴(kuò)散法、印刷磷漿法、硅墨技術(shù)、腐蝕擴(kuò)散掩膜層等方法。其中激光擴(kuò)散法需要使用到激光或電鍍?cè)O(shè)備，工序復(fù)雜，設(shè)備穩(wěn)定性難以控制；印刷磷漿法對(duì)磷漿要求高，目前磷漿容易高溫?fù)]發(fā)，選擇性不佳；硅墨技術(shù)同樣需要增加大量新設(shè)備，成本較高。不利于高效選擇性發(fā)射極電池的產(chǎn)業(yè)化。目前采用腐蝕擴(kuò)散掩膜層制備的選擇性發(fā)射極電池大多采用二氧化硅掩膜，由于制備二氧化硅掩膜需要增加高溫氧化爐，完成后進(jìn)行選擇性去除掩膜，高溫氧化爐制備二氧化硅掩膜時(shí)間較長(zhǎng)，并且對(duì)磷擴(kuò)散效果的阻擋作用有限，影響二次擴(kuò)散后硅片內(nèi)高低結(jié)的濃度差，造成選擇性發(fā)射極原理實(shí)現(xiàn)不完全。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)目前選擇性發(fā)射極電池腐蝕擴(kuò)散掩膜層法中二氧化硅掩膜的制備方法周期長(zhǎng)，阻擋磷擴(kuò)散的效果差的問題，提出一種選擇性發(fā)射極電池片二氧化硅膜制作方法。

本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種選擇性發(fā)射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：

(1)將硅片完全浸沒在有機(jī)硅凝膠溶液中，浸泡時(shí)間為5s；

(2)取出步驟(1)浸泡過(guò)有機(jī)硅凝膠溶液的電池片晾干，晾干時(shí)間為1~3min；

(3)將步驟(2)得到的電池片進(jìn)行烘烤，即得到電池片掩膜。

步驟(3)的電池片放入烘烤爐中進(jìn)行烘烤，烘烤溫度50~300℃，烘烤時(shí)間3~8min。

所述的步驟(3)中電池片的烘烤時(shí)間為5min。

步驟(1)前還對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理，所述的預(yù)處理即對(duì)硅片表面進(jìn)行常規(guī)清洗和表面組織結(jié)構(gòu)的處理。

所述的電池片掩膜為二氧化硅掩膜。

所述的二氧化硅掩膜的厚度為0.1um~10um。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明所用的有機(jī)硅凝膠制備二氧化硅掩膜方法縮短了傳統(tǒng)的制作周期，制作出的二氧化硅掩膜層結(jié)構(gòu)致密且均勻，阻擋磷擴(kuò)散效果優(yōu)于熱氧化法制備的二氧化硅層，同時(shí)該新制備方法減少了設(shè)備及原料的投入成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明選擇性發(fā)射極電池片的二氧化硅掩膜示意圖。

圖中：1、硅片，2、二氧化硅膜。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。

如圖1所示。硅片表面形成二氧化硅膜。

實(shí)施例1

一種選擇性發(fā)射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：(1)對(duì)硅片表面進(jìn)行常規(guī)清洗和表面組織結(jié)構(gòu)的處理，處理結(jié)束后將硅片完全浸沒在有機(jī)硅凝膠溶液中，浸泡時(shí)間為5s；(2)取出步驟(1)浸泡過(guò)有機(jī)硅凝膠溶液的電池片晾干，晾干時(shí)間為3min；(3)將步驟(2)得到的電池片進(jìn)行烘烤，在50℃條件下烘烤8min，即得到二氧化硅掩膜。使用本發(fā)明方法制得的二氧化硅掩膜厚度為2um。

實(shí)施例2

一種選擇性發(fā)射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：(1)對(duì)硅片表面進(jìn)行常規(guī)清洗和表面組織結(jié)構(gòu)的處理，處理結(jié)束后將硅片完全浸沒在有機(jī)硅凝膠溶液中，浸泡時(shí)間為5s；(2)取出步驟(1)浸泡過(guò)有機(jī)硅凝膠溶液的電池片晾干，晾干時(shí)間為2min；(3)將步驟(2)得到的電池片進(jìn)行烘烤，在100℃條件下烘烤6min，即得到二氧化硅掩膜。使用本發(fā)明方法制得的二氧化硅掩膜厚度為10um。

實(shí)施例3

一種選擇性發(fā)射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：(1)對(duì)硅片表面進(jìn)行常規(guī)清洗和表面組織結(jié)構(gòu)的處理，處理結(jié)束后將硅片完全浸沒在有機(jī)硅凝膠溶液中，浸泡時(shí)間為5s；(2)取出步驟(1)浸泡過(guò)有機(jī)硅凝膠溶液的電池片晾干，晾干時(shí)間為1.5min；(3)將步驟(2)得到的電池片進(jìn)行烘烤，在290℃條件下烘烤3min，即得到二氧化硅掩膜。使用本發(fā)明方法制得的二氧化硅掩膜厚度為6.3um。