[發明專利]一種選擇性發射極電池片掩膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210369826.6
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102903793A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 盧春暉;黃侖;王金偉;史孟杰;崔梅蘭
• 申請（專利權）人: 東方電氣集團（宜興）邁吉太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 夏平

1.一種選擇性發射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于它包括以下步驟：

(1)將硅片完全浸沒在有機硅凝膠溶液中，浸泡時間為5s；

(2)取出步驟(1)浸泡過有機硅凝膠溶液的電池片晾干，晾干時間為1~3min；

(3)將步驟(2)得到的電池片進行烘烤，即得到電池片掩膜。

2.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于步驟(3)的電池片放入烘烤爐中進行烘烤，烘烤溫度50~300℃，烘烤時間為3~8min。

3.根據權利要求2所述的選擇性發射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于所述的步驟(3)中電池片的烘烤時間為5min。

4.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于步驟(1)前還對硅片進行預處理，所述的預處理即對硅片表面進行常規清洗和表面組織結構的處理。

5.根據權利要求1所述的選擇性發射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于所述的電池片掩膜為二氧化硅掩膜。

6.根據權利要求5所述的選擇性發射極電池片掩膜的制備方法，其特征在于所述的二氧化硅掩膜的厚度為0.1um~10um。