[發明專利]感光性膠粘劑、半導體裝置及半導體裝置的制造方法無效
| 申請號: | 201210369627.5 | 申請日: | 2008-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN103021881A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 增子崇;川守崇司;滿倉一行;加藤木茂樹 | 申請(專利權)人: | 日立化成工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 蔣亭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感光性 膠粘劑 半導體 裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及感光性膠粘劑、半導體裝置及半導體裝置的制造方法。
背景技術
在半導體安裝領域中,基板與半導體芯片借助多個導電性凸塊被連接的倒裝片安裝方式受到關注。倒裝片安裝方式中,因基于基板與半導體芯片的熱膨脹系數差的應力,有時產生借助導電性凸塊的基板與半導體芯片的連接異常。因此,已知為了緩和該應力而在基板與半導體芯片之間填充樹脂來密封導電性凸塊的方式(例如,專利文獻1)。
專利文獻1記載的半導體裝置的制造方法中,在彼此對置的基板與半導體芯片之間配置多個導電性凸塊與包括具有電絕緣性的樹脂的樹脂片。然后,通過加熱及加壓使樹脂片熔融,在基板與半導體芯片之間利用樹脂密封多個凸塊。
專利文獻1:專利第3999840號公報
發明內容
但是,在現有的倒裝片安裝方式中,有時樹脂進入基板上的連接端子與導電性凸塊之間或半導體芯片與導電性凸塊之間。因此,借助導電性凸塊的基板與半導體芯片的導通被抑制,有連接可靠性降低的問題。
為此,本發明的目的在于抑制借助導電性凸塊的連接端子間的連接可靠性降低。
本發明的半導體裝置的制造方法具備:第一工序,其在具有第一連接部的第一粘附體上設置感光性膠粘劑;第二工序,其通過曝光及顯影使感光性膠粘劑形成圖案,以形成第一連接部露出的開口;第三工序,其向開口填充導電材料來形成導電層;第四工序,其將具有第二連接部的第二粘附體直接膠粘于感光性膠粘劑,并且借助導電層將第一連接部與第二連接部進行電連接。
上述本發明的半導體裝置的制造方法中,使用形成被圖案化的絕緣樹脂層的具有作為感光性樹脂的功能的感光性膠粘劑,形成第一連接部露出的開口,在該開口填充導電材料。由此,由于在樹脂不進入第一粘附體與導電層之間的狀態下形成包括感光性膠粘劑的絕緣樹脂層,所以能確保第一粘附體與導電層的導通,并抑制第一粘附體與導電層的連接可靠性降低。
另外,本發明的半導體裝置的制造方法中,第一粘附體或第二粘附體的一方是包含多個半導體芯片的半導體晶片,另一方是基板,可以在第三工序與第四工序之間或第四工序之后還具備將半導體晶片按半導體芯片進行切割的工序。
本發明的半導體裝置的制造方法中,使用在被圖案化之后對第二粘附體具有膠粘性的感光性膠粘劑。因此,從可以特別容易地對圖案化之后的感光性膠粘劑賦予相對第二粘附體的膠粘性來看,優選感光性膠粘劑含有堿可溶性聚合物、輻射聚合性化合物和光聚合引發劑。從同樣的觀點來看,堿可溶性聚合物較優選具有羧基或酚性羥基。
堿可溶性聚合物的玻璃化轉變溫度優選為150℃以下。由此,能在較低的溫度下向第二粘附體貼附感光性膠粘劑。
堿可溶性聚合物優選為聚酰亞胺。聚酰亞胺優選為使四羧酸二酐與二胺反應得到的聚酰亞胺,所述二胺至少包括一種下述化學式(I-a)、(I-b)、(II-a)、(II-b)及(II-c)分別所示的芳香族二胺。
【化1】
本發明的半導體裝置的制造方法中,優選感光性膠粘劑還含有熱固性樹脂。
本發明的半導體裝置的制造方法中,感光性膠粘劑可以為膜狀。
本發明的半導體裝置可以通過上述半導體裝置的制造方法得到。
根據本發明,能抑制借助導電性凸塊的連接端子間的連接可靠性降低。另外,根據本發明,由于無需填充樹脂來形成絕緣樹脂層,所以能抑制填充樹脂時產生的空氣卷入所導致的空隙的發生。
附圖說明
圖1是表示半導體裝置的一個實施方式的剖面圖。
圖2是表示半導體裝置的制造方法的一個實施方式的剖面圖。
圖3是表示半導體裝置的制造方法的一個實施方式的剖面圖。
圖4是表示半導體裝置的制造方法的一個實施方式的剖面圖。
圖5是表示半導體裝置的制造方法的一個實施方式的剖面圖。
圖6是表示半導體裝置的制造方法的一個實施方式的剖面圖。
圖7是表示半導體裝置的制造方法的其他實施方式的剖面圖。
圖中:1-半導體裝置,3-基板(第一粘附體),5-半導體芯片(第二粘附體),7-絕緣樹脂層,9-導電層,11-電路面,13-開口,17-半導體晶片。
具體實施方式
以下,詳細說明本發明的優選實施方式。但是,本發明并不限定于以下實施方式。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





