[發明專利]半導體存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210369546.5
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035285B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 金寬東
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,郭放

1.一種半導體存儲器件，包括：

時鐘周期反映器，所述時鐘周期反映器被配置成將與內部時鐘信號的周期信息相對應的時間反映到輸入數據信號；

數據時鐘變換器，所述數據時鐘變換器被配置成產生具有與所述時鐘周期反映器的輸出信號相對應的相位的同步時鐘信號；以及

同步輸出單元，所述同步輸出單元被配置成響應于所述同步時鐘信號而使所述輸入數據信號同步并輸出所述輸入數據信號。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述時鐘周期反映器被配置成將所述輸入數據信號延遲與所述周期信息相對應的時間，以輸出延遲的輸入數據信號。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述輸入數據信號被延遲比與所述內部時鐘信號的一個周期相對應的時間小的時間。

4.如權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括內部時鐘信號發生器，所述內部時鐘信號發生器被配置成產生所述內部時鐘信號，以產生與所述內部時鐘信號相對應的所述周期信息。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，所述內部時鐘信號發生器包括：

相位頻率檢測器，所述相位頻率檢測器被配置成檢測與外部時鐘信號相對應的參考時鐘信號和所述內部時鐘信號的相位頻率；

控制電壓發生器，所述控制電壓發生器被配置成產生與所述相位頻率檢測器的輸出信號相對應的控制電壓；以及

壓控振蕩器，所述壓控振蕩器被配置成產生具有與所述控制電壓相對應的頻率的所述內部時鐘信號。

6.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述周期信息與所述控制電壓相對應。

7.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述壓控振蕩器還包括多個延遲單元，所述多個延遲單元具有與所述控制電壓相對應的延遲時間。

8.如權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述時鐘周期反映器被配置成對所述延遲單元進行建模。

9.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述時鐘周期反映器包括：

多個延遲單元，所述多個延遲單元被配置成具有與所述周期信息相對應的延遲時間；以及

輸出單元，所述輸出單元被配置成將所述多個延遲單元之中的相應延遲單元的輸出信號輸出到所述數據時鐘變換器。

10.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述數據時鐘變換器包括：

相位檢測器，所述相位檢測器被配置成檢測所述同步時鐘信號和所述時鐘周期反映器的輸出信號的相位；

控制電壓發生器，所述控制電壓發生器被配置成產生與所述相位檢測器的輸出信號相對應的控制電壓；以及

壓控延遲線，所述壓控延遲線被配置成將所述內部時鐘信號延遲與所述控制電壓相對應的時間，以產生所述同步時鐘信號。

11.如權利要求10所述的半導體存儲器件，其中，所述相位檢測器包括：

第一激活邊沿檢測器，所述第一激活邊沿檢測器被配置成檢測所述時鐘周期反映器的輸出信號的激活邊沿；以及

第二激活邊沿檢測器，所述第二激活邊沿檢測器被配置成檢測所述同步時鐘信號的激活邊沿。

12.如權利要求11所述的半導體存儲器件，其中，所述第一激活邊沿檢測器和第二激活邊沿檢測器被配置成被設定/復位由所述第一激活邊沿檢測器和所述第二激活邊沿檢測器的輸出信號限定的時段。

13.如權利要求12所述的半導體存儲器件，還包括：

第三激活邊沿檢測器，所述第三激活邊沿檢測器被配置成通過檢測所述輸入數據信號的激活邊沿而產生復位信號，

其中，所述第二激活邊沿檢測器響應于所述復位信號而被復位。

14.一種操作半導體存儲器件的方法，包括以下步驟：

通過根據延遲控制信號控制延遲量，來產生內部時鐘信號；

將輸入數據信號延遲與所述延遲控制信號相對應的時間；

產生同步時鐘信號，所述同步時鐘信號與通過將所述輸入數據信號延遲而獲得的輸出信號的激活邊沿相對應；以及

響應于所述同步時鐘信號而使所述輸入數據信號同步。

15.如權利要求14所述的方法，其中，將所述輸入數據信號延遲比與所述內部時鐘信號的一個周期相對應的時間小的時間。