[發明專利]一種晶體硅\非晶硅雙節雙面電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201210368965.7
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102903780A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 高艷濤;姜慶堂;邢國強;陶龍忠;張斌;何恬
• 申請（專利權）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0376;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種晶體硅/非晶硅雙節雙面電池，其特征在于：包括：?N型硅襯底（a）、非晶硅I層（b）、微晶硅P層（c）、非晶硅N層（d）、微晶硅N層（e）、非晶硅本征層（f）、非晶硅P層（g）、透明導電電極（h）、電池的正極（j）和電池的負極（k）；

所述電池從上而下依次為：電池的正極（j）、透明導電電極（h）、非晶硅P層（g）、非晶硅本征層（f）、微晶硅N層（e）、微晶硅P層（c）、非晶硅I層（b）、N型硅襯底（a）、非晶硅I層（b）、非晶硅N層（d）、透明導電電極（h）、電池的負極（k）。

2.根據權利要求1所述的一種晶體硅/非晶硅雙節雙面電池的制造方法，其特征在于：具體步驟如下：

（1）對N型單晶硅半導體襯底表面絨面化并進行化學清洗;

（2）在N型硅襯底兩面沉積非晶硅I層；

（3）沉積非晶硅N層；

（4）沉積微晶硅P層；

（5）沉積前電池的微晶硅N層；

（6）沉積前電池的非晶硅本征層；

（7）沉積前電池的非晶硅P層；

（8）雙面制備透明導電電極；

（9）制備銀電極。

3.根據權利要求1所述的一種晶體硅/非晶硅雙節雙面電池，其特征在于：N型硅片的電阻率為：0.3???cm?-6???cm?。

4.根據權利要求1所述的一種晶體硅/非晶硅雙節電池，其特征在于：沉積在N型硅片上的非晶硅I層的厚度為：5-30nm；非晶硅N和微晶硅的厚度為10nm-30nm；

根據權利要求1所述的一種晶體硅/非晶硅雙節電池，其特征在于：微晶硅的N的光敏性為1-10，電導率為1-10S/cm；微晶硅P敏性為1-10，電導率在0.1-10S/cm；非晶硅I層的光敏性約為10⁵。