[發明專利]處理腔中晶圓位置檢測裝置及方法在審
| 申請號： | 201210366866.5 | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN102856229A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 周廣偉;巴文林 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 腔中晶圓 位置 檢測 裝置 方法 | ||
1.一種處理腔中晶圓位置檢測裝置，其特征在于包括：攝像機、光源以及監視器；其中，所述光源布置在所述晶圓處理腔內或者布置在晶圓處理腔外以使得所述光源能夠照射所述晶圓處理腔內部；并且其中，所述攝像機布置在所述晶圓處理腔內或者布置在晶圓處理腔側壁以便能夠拍攝所述晶圓處理腔內布置的待處理晶圓的位置；而且，所述監視器布置在所述晶圓處理腔外部；并且所述監視器通過纜線連接至所述攝像機，從而所述監視器能夠實時地顯示所述攝像機所拍攝的圖像。
2.根據權利要求1所述的處理腔中晶圓位置檢測裝置，其特征在于，在所述晶圓處理腔中容納了待處理晶圓時，所述光源對所述晶圓處理腔內部進行照射，所述攝像機對所述待處理晶圓的位置進行拍攝，并且所述監視器實時地顯示所述攝像機所拍攝的圖像。
3.根據權利要求1所述的處理腔中晶圓位置檢測裝置，其特征在于，當晶圓位置偏移而使設備發出晶圓位置偏移警報時，在設備發出晶圓位置偏移警報時啟動所述攝像機、所述光源以及所述監視器；啟動后，所述光源對所述晶圓處理腔內部進行照射，所述攝像機對所述待處理晶圓的位置進行拍攝，并且所述監視器顯示所述攝像機所拍攝的圖像。
4.一種處理腔中晶圓位置檢測方法，其特征在于包括：
利用光源對晶圓處理腔內部進行照射；
利用攝像機對待處理晶圓的位置進行拍攝；
利用監視器顯示所述攝像機所拍攝的圖像。
5.根據權利要求4所述的處理腔中晶圓位置檢測方法，其特征在于，在所述晶圓處理腔中容納了待處理晶圓時，所述光源對所述晶圓處理腔內部進行照射，所述攝像機對所述待處理晶圓的位置進行拍攝，并且所述監視器實時地顯示所述攝像機所拍攝的圖像。
6.根據權利要求4所述的處理腔中晶圓位置檢測方法，其特征在于，當晶圓位置偏移而使設備發出晶圓位置偏移警報時，在設備發出晶圓位置偏移警報時啟動所述攝像機、所述光源以及所述監視器；啟動后，所述光源對所述晶圓處理腔內部進行照射，所述攝像機對所述待處理晶圓的位置進行拍攝，并且所述監視器顯示所述攝像機所拍攝的圖像。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
