[發明專利]存儲器及其字線電壓產生電路

有效

• 申請號: 201210366860.8
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN102867535A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種字線電壓產生電路，以產生存儲單元字線上的讀寫操作字線電壓，包括字線電源電壓產生電路、讀寫控制切換單元、預譯碼器及行譯碼器，其特征在于，該字線電壓產生電路還包括：

高電壓產生模塊，連接于一控制脈沖及高電壓，并接至該預譯碼器的輸入端，以于該控制脈沖為高時將該高電壓作為該高電壓產生模塊的輸出電壓提供給該預譯碼器，以減少該預譯碼器輸出的地址驅動信號的上升沿；以及

正常電壓產生模塊，連接于該控制脈沖及該讀寫控制切換單元，并接至該預譯碼器的輸入端，以于該控制脈沖為低時將該讀寫控制切換單元輸出的讀寫控制電壓作為該正常電壓產生模塊的輸出電壓提供給該預譯碼器。

2.如權利要求1所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該高電壓產生模塊包括第一電平移位器、第二電平移位器、第一PMOS管及第二PMOS管，其中該第一電平移位器一輸入端接該控制脈沖，另一輸入端接該高電壓，該第二電平移位器的輸入端接該控制脈沖及該高電壓產生模塊輸出的電壓，該第一PMOS管源極接該高電壓，柵極接該第一電平移位器，漏極與該第二PMOS管源極互連，該第二PMOS管柵極接該第二電平移位器，漏極與該預譯碼器相連。

3.如權利要求2所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該控制脈沖經該第一電平移位器進行電平移位并反相得到第一選通信號，并輸出至該第一PMOS管柵極。

4.如權利要求3所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該控制脈沖經該第二電平移位器進行電平移位并反相得到第二選通信號，并輸出至該第二PMOS管柵極。

5.如權利要求2所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該正常電壓產生模塊包括第三電平移位器、第四電平移位器、第三PMOS管及第四PMOS管，其中該第三電平移位器輸入端接該讀寫控制單元輸出的讀寫控制電壓及一反相控制脈沖，該第四電平移位器的輸入端接該反相控制脈沖及該正常電壓產生模塊輸出的電壓，該第三PMOS管源極接該讀寫控制電壓，柵極接該第三電平移位器，漏極與該第四PMOS管互連，第四PMOS管柵極接該第四電平移位器，漏極與該預譯碼器相連。

6.如權利要求5所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該反相控制脈沖由該控制脈沖反相后獲得。

7.如權利要求1所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該高電壓為該字線電源電壓產生電路中經電荷泵產生的電壓。

8.如權利要求1所述的字線電壓產生電路，其特征在于：該高電壓為3.5V～5.5V。

9.一種存儲器，包括字線電壓產生電路、存儲陣列及字線，該字線與該存儲陣列相連，用于在該字線電壓產生電路產生的讀寫操作字線電壓的支持下讀出該存儲陣列中的數據或向該存儲陣列寫入數據，其特征在于：該字線電壓產生電路還包括字線電源電壓產生電路、讀寫控制切換單元、預譯碼器、行譯碼器、高電壓產生模塊及正常電壓產生模塊，其中高電壓產生模塊連接于一控制脈沖及高電壓，并接至該預譯碼器的輸入端，以于該控制脈沖為高時將該高電壓作為該高電壓產生模塊的輸出電壓提供給該預譯碼器，以減少該預譯碼器輸出的地址驅動信號的上升沿；正常電壓產生模塊，連接于該控制脈沖及該讀寫控制切換單元，并接至該預譯碼器的輸入端，以于該控制脈沖為低時將該讀寫控制切換單元輸出的讀寫控制電壓作為該正常電壓產生模塊的輸出電壓提供給該預譯碼器。