[發明專利]晶圓控制方法以及晶圓控制設備在審
| 申請號: | 201210366856.1 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN102881560A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 杜廷衛 | 申請(專利權)人: | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 方法 以及 設備 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,更具體地說,本發明涉及一種晶圓控制方法以及相應的晶圓控制設備。
背景技術
在半導體晶圓的加工處理工藝中(例如,在刻蝕工藝中),有時候需要利用諸如機械臂之類的操作工作對腔室中的晶圓進行轉移,例如將晶圓從一個處理腔室轉移至另一處理腔室。
此時,當對晶圓進行操作的機械臂在抓取晶圓時,如果晶圓沒有處于預期位置(即,如果腔室中的晶圓的位置出現了偏差),則機械臂可能不能成功地抓取到晶圓,或者機械臂可能無意地碰撞到晶圓從而造成晶圓破損或破裂,從而造成產率的下降。
為了避免上述情況的發生,在現有技術,已經提出一種在腔室中布置傳感器以便在機械臂進入腔室時感測機械臂是否成功地抓取到晶圓的技術。但是,如果僅僅布置傳感器來檢測機械臂是否成功地抓取到晶圓,那么在機械臂沒有成功地抓取到晶圓的情況下,傳感器發出檢測信號,以使得整個處理暫停。
可以看出,現有技術中對機械臂抓取晶圓的檢測缺乏效率,在機械臂沒有成功地抓取到晶圓的情況下,有可能會造成晶圓的破壞或損壞,并且有可能會由于處理流程的暫停而造成工藝效率的下降。
因此,希望能夠提供一種防止工藝效率下降的能夠提高機械臂對晶圓的抓取成功率的晶圓控制方法。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷,提供一種在機械臂抓取晶圓時能夠有效地防止工藝效率下降的提高機械臂對晶圓的抓取成功率的晶圓控制方法以及相應的晶圓控制設備。
根據本發明的第一方面,提供了一種晶圓控制方法,其包括:晶圓位置檢測步驟,用于利用位置傳感器檢測期望位置處是否布置了晶圓;檢測結果判斷步驟,用于根據晶圓位置檢測步驟的檢測結果判斷期望位置處是否布置了晶圓;
在所述檢測結果判斷步驟的判斷結果是肯定判定的情況下執行的傳輸工具抓取步驟,用于利用操作工作抓取所述期望位置處的晶圓;以及在所述檢測結果判斷步驟的判斷結果是否定判定的情況下執行的傳輸工具暫停步驟,用于使得傳輸工具暫停抓取晶圓。
優選地,在所述晶圓位置檢測步驟中,利用發光二極管以及感光元件來檢測期望位置處是否布置了晶圓。
優選地,所述傳輸工具是機械臂。
優選地,如果所述檢測結果判斷步驟的判斷結果是否定判定,發出警報消息。
根據本發明的第二方面,提供了一種晶圓控制設備,其包括:傳輸工具,用于抓取并轉移晶圓;晶圓位置檢測裝置,用于利用位置傳感器檢測期望位置處是否布置了晶圓;以及檢測結果判斷裝置,用于根據晶圓位置檢測步驟的檢測結果判斷期望位置處是否布置了晶圓;其中,在檢測結果判斷裝置的判斷結果是肯定判定的情況下,所述晶圓控制設備利用操作工作抓取所述期望位置處的晶圓;以及在檢測結果判斷裝置的判斷結果是否定判定的情況下所述晶圓控制設備使得傳輸工具暫停抓取晶圓。
優選地,所述晶圓位置檢測裝置包括發光二極管以及感光元件。
優選地,所述傳輸工具是機械臂。
優選地,如果所述檢測結果判斷步驟的判斷結果是否定判定,所述晶圓控制設備發出警報消息。
優選地,所述發光二極管置于所述期望位置處,所述感光元件與所述發光二極管相對布置,從而在所述感光元件與所述發光二極管間沒有遮擋時,所述感光元件可接收到所述發光二極管發射的光。
根據本發明,可以及早地檢測到晶圓是否處于期望的適當位置,從而能夠在晶圓位置發生偏移及時地控制諸如機械手之類的傳輸工具,從而能夠有效地防止傳輸工具損壞晶圓,從而提高了傳輸工具抓取晶圓的成功率,提高了產率,并且由于及早的信息處理而提高了處理工藝的效率。
附圖說明
結合附圖,并通過參考下面的詳細描述,將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征,其中:
圖1示意性地示出了根據本發明實施例的晶圓控制方法的流程圖。
圖2示意性地示出了根據本發明實施例的晶圓控制設備的的框圖。
圖3示意性地示出了根據本發明實施例的晶圓位置檢測裝置的一個具體示例。
需要說明的是,附圖用于說明本發明,而非限制本發明。注意,表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施方式
為了使本發明的內容更加清楚和易懂,下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。
<第一實施例>
圖1示意性地示出了根據本發明第一實施例的晶圓控制方法的流程圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





