[發(fā)明專利]磁盤用玻璃基板的制造方法及磁盤的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210366633.5
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035256A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口智行;飯泉京介
• 申請（專利權(quán)）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84;G11B5/73;G11B5/62
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 吳宗頤

1.磁盤用玻璃基板的制造方法，其包括對玻璃基板的主表面進(jìn)行拋光的拋光工序、和對拋光工序后的玻璃基板進(jìn)行洗滌的洗滌工序，其特征在于，

在所述洗滌工序中，用含有草酸根離子和2價(jià)鐵離子的洗滌液，在酸性條件下進(jìn)行洗滌，

在所述洗滌工序中進(jìn)行還原所述洗滌液的操作。

2.權(quán)利要求1所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，還原所述洗滌液的操作為對所述洗滌液進(jìn)行光照射。

3.磁盤用玻璃基板的制造方法，其包括對玻璃基板的主表面進(jìn)行拋光的拋光工序、和對拋光工序后的玻璃基板進(jìn)行洗滌的洗滌工序，其特征在于，

在所述洗滌工序中，用含有草酸根離子和2價(jià)鐵離子的洗滌液，在酸性條件下進(jìn)行洗滌，

與所述洗滌工序同時(shí)、或者在所述洗滌工序之前或之后，對所述洗滌液進(jìn)行光照射。

4.權(quán)利要求3所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，照射所述洗滌液的光為紫外線或可見光。

5.權(quán)利要求4所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述紫外線或可見光的波長為300nm～450nm。

6.磁盤用玻璃基板的制造方法，其包括對玻璃基板的主表面進(jìn)行拋光的拋光工序、和對拋光工序后的玻璃基板進(jìn)行洗滌的洗滌工序，其特征在于，

在所述洗滌工序中，用含有草酸根離子和2價(jià)鐵離子的洗滌液，在酸性條件下進(jìn)行洗滌，

與所述洗滌工序同時(shí)、或者在所述洗滌工序之前或之后，進(jìn)行將所述洗滌液中含有的2價(jià)鐵離子被氧化而生成的3價(jià)鐵離子還原的操作。

7.權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述拋光工序采用具有含鐵拋光平板的拋光裝置實(shí)施，在所述洗滌工序中，溶解鐵系異物。

8.權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述洗滌液還含有具有羧基的有機(jī)酸。

9.權(quán)利要求8所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述有機(jī)酸是比草酸的分子量大的羧酸。

10.權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述洗滌液的pH為1.8～4.2。

11.權(quán)利要求1～10任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述洗滌液中的草酸的濃度為0.0l5mol/L～0.24mol/L。

12.權(quán)利要求1～11任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述洗滌液中含有的2價(jià)鐵離子由硫酸鐵(II)銨、硫酸鐵(II)和草酸鐵(II)中的至少1種供給，

當(dāng)供給所述2價(jià)鐵離子的物質(zhì)為硫酸鐵(II)銨時(shí)，在所述洗滌液中的濃度為0.00038mol/L～0.0077mol/L。

13.權(quán)利要求1～12任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述洗滌工序后的玻璃基板的表面粗糙度為0.2nm以下。

14.磁盤的制造方法，其特征在于，在由權(quán)利要求1～13任一項(xiàng)所述的磁盤用玻璃基板的制造方法得到的磁盤用玻璃基板的主表面上，至少形成磁性層。