[發明專利]層積有鈍化膜的基板的燒蝕加工方法

有效

• 申請號: 201210365826.9
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103028844B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 北原信康
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B23K26/18
• 分類號: B23K26/18;B23K26/362;H01L21/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 丁香蘭,褚瑤楊

技術領域

本發明涉及對層積有由氮化物形成的鈍化膜的基板照射激光光束來施以燒蝕加工的層積有鈍化膜的基板的燒蝕加工方法。

背景技術

對于表面形成有通過預定分割線(分割予定ライン)分開的IC、LSI、LED等多種器件的硅晶片、藍寶石晶片等晶片，利用切削裝置或激光加工裝置等加工裝置將其分割成單個的器件，所分割出的器件廣泛用于移動電話、個人電腦等各種電子設備中。

在晶片的分割中，廣泛采用的的切割方法是使用被稱為切割鋸的切削裝置的切割方法。在該切割方法中，使利厚度為30μm左右的切削刀以30000rpm左右的高速旋轉向晶片切入來對晶片進行切削，將晶片分割成單個的器件，其中，所述切削刀是用金屬或樹脂固定了金剛石等磨料粒而成的。

另一方面，近年來，有提案提出了對于晶片照射相對于晶片具有吸收性的波長的脈沖激光光束來進行燒蝕加工從而形成激光加工槽，利用制動裝置沿著該激光加工槽切斷晶片來分割成單個器件的方法(日本特開平10-305420號公報)。

在基于燒蝕加工的激光加工槽的形成中，與基于切割鋸的切割方法相比，可使加工速度迅速，同時即使對由藍寶石或SiC等硬度高的材料形成的晶片也可以比較容易地進行加工。

另外，由于可以將加工槽制成例如10μm以下等的較窄的寬度，與利用切割方法進行加工的情況相比較，具有可增加每一枚晶片中的器件獲取量這樣的特征。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

專利文獻1：日本特開平10-305420號公報

專利文獻2：日本特開2007-118011號公報

發明內容

【發明所要解決的課題】

但是，若對晶片等半導體基板照射具有吸收性的波長(例如355nm)的脈沖激光光束，則所吸收的激光光束的能量達到帶隙能量，使原子的結合力被破壞而進行燒蝕加工，盡管如此，若在半導體基板的上面層積由Si₃N₄等氮化物形成的鈍化膜，則會產生激光光束能量的擴散和激光光束的反射，具有無法將激光光束的能量充分用于燒蝕加工、能量損失大的問題。

并且會產生透過了鈍化膜的激光光束對半導體基板施以燒蝕加工，使鈍化膜自內部發生破壞這樣的問題。

本發明是鑒于這樣的方面而進行的，其目的在于提供可抑制能量的擴散和激光光束的反射的層積有鈍化膜的基板的燒蝕加工方法。

【解決課題的手段】

根據本發明，提供了一種層積有鈍化膜的基板的燒蝕加工方法，其為對層積有由氮化物形成的鈍化膜的基板照射激光光束來施以燒蝕加工的層積有鈍化膜的基板的燒蝕加工方法，該方法的特征在于，其具備保護膜形成工序與激光加工工序，在保護膜形成工序中，將混入了對于激光光束的波長具有吸收性的氧化物微粉末的液態樹脂涂布至基板的至少要進行燒蝕加工的區域，來形成摻入有該微粉末的保護膜；在激光加工工序中，在實施了該保護膜形成工序之后，對基板的形成了該保護膜的區域照射激光光束來施以燒蝕加工。

優選氧化物的微粉末的平均粒徑小于激光光束的光斑徑。優選激光光束的波長為355nm以下，氧化物的微粉末含有選自由Fe₂O₃、ZnO、TiO₂、CeO₂、CuO、Cu₂O和MgO組成的組中的金屬氧化物，液態樹脂含有聚乙烯醇。

【發明的效果】

由于本發明的層積有氮化物的鈍化膜的基板的燒蝕加工方法中將混入了對于激光光束的波長具有吸收性的氧化物微粉末的液態樹脂涂布至基板的至少要進行燒蝕加工的區域來形成保護膜，因而激光光束被氧化物微粉末所吸收并達到帶隙能量，原子的結合力被破壞，從而對鈍化膜施以連鎖性燒蝕加工，可抑制能量的擴散和激光光束的反射，有效且順利地進行層積有鈍化膜的基板的燒蝕加工。

附圖說明

圖1為適于本發明的燒蝕加工方法的激光加工裝置的立體圖。

圖2為激光光束照射單元的框圖。

圖3為藉由膠帶而被環狀框架所支持的半導體晶片的立體圖。

圖4為層積有由氮化物形成的鈍化膜的半導體晶片的截面圖。

圖5為示出液態樹脂涂布工序的立體圖。

圖6為示出各種金屬氧化物的分光透過率的曲線圖。

圖7為示出燒蝕加工工序的立體圖。

圖8為燒蝕加工終止狀態下的經膠帶而由環狀框架所支持的半導體晶片的立體圖。

具體實施方式