[發(fā)明專(zhuān)利]具有改進(jìn)的可測(cè)試性的半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210365269.0
• 申請(qǐng)日: 2012-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103227166B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙子群;胡坤忠;桑帕施·K·V·卡里卡蘭;雷佐爾·拉赫曼·卡恩;彼得·沃倫坎普;陳向東
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 美國(guó)博通公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/544
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/544;H01L23/488
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，包括：

有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)；

中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；

至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)被耦接至封裝件頂部測(cè)試連接部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電通路。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其中，在上中介片中形成所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)的至少一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個(gè)頂部金屬層部分，所述至少一個(gè)頂部金屬層部分在至少一個(gè)所述專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)與所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。

6.一種可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，包括：

有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)；

中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)和所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；

至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)與所述可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的側(cè)壁之間提供電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)包括導(dǎo)電塊。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可測(cè)試半導(dǎo)體封裝件，包括至少一個(gè)頂部金屬層部分，所述至少一個(gè)頂部金屬層部分在至少一個(gè)所述專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)與所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)之間提供電連接。

9.一種用于測(cè)試半導(dǎo)體封裝件的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：

有源芯片，具有接口觸點(diǎn)和專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)；

中介片，位于所述有源芯片的底面附近，所述中介片在所述接口觸點(diǎn)與所述半導(dǎo)體封裝件的底面之間提供電連接；

至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)，在至少一個(gè)所述專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)與所述半導(dǎo)體封裝件的頂面之間提供電連接；

頂部測(cè)試插口，通過(guò)所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)與所述至少一個(gè)所述專(zhuān)用測(cè)試觸點(diǎn)連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，所述至少一個(gè)導(dǎo)電介質(zhì)被耦接至封裝件頂部測(cè)試連接部。