[發明專利]溝槽結構的制造方法無效
| 申請號： | 201210365046.4 | 申請日： | 2012-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN103681451A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張艷杰;張浴月 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 結構 制造 方法 | ||
1.一種溝槽結構的制造方法，包括下列步驟：
在一基板上形成一緩沖層及位于該緩沖層上的一硬式掩模層；
在該硬式掩模層上定義出至少一第一開口區及多個第二開口區，其中該第一開口區大于每一第二開口區；
對該第一開口區及所述多個第二開口區實施一第一蝕刻工藝，以在該緩沖層內形成對應該第一開口區的一第一凹口及對應所述多個第二開口區的多個第二凹口；及
對該第一凹口及所述多個第二凹口實施一第二蝕刻工藝，以在該基板內形成對應該第一凹口的一第一溝槽結構及對應所述多個第二凹口的多個第二溝槽結構，其中該第一溝槽結構與該第二溝槽結構的深度大抵相同。
2.如權利要求1所述的溝槽結構的制造方法，還包括在該硬式掩模層上形成一抗反射層。
3.如權利要求2所述的溝槽結構的制造方法，其中該抗反射層包括鈦、二氧化鈦、氮化鈦、碳、氧化鉻或其組合。
4.如權利要求1所述的溝槽結構的制造方法，其中該緩沖層包括氮化硅。
5.如權利要求4所述的溝槽結構的制造方法，其中該緩沖層的厚度為10-50埃。
6.如權利要求1所述的溝槽結構的制造方法，其中該硬式掩模層包括金屬、外延硅、硅化鈦、硅硼玻璃或其組合。
7.如權利要求1所述的溝槽結構的制造方法，其中該第一蝕刻工藝為一反應性離子蝕刻工藝。
8.如權利要求1項所述的溝槽結構的制造方法，其中該第二蝕刻工藝為一反應性離子蝕刻工藝。
9.如權利要求1所述的溝槽結構的制造方法，其中該第一開口區為一疏離開口區，且該第二開口區為一密集開口區。
10.如權利要求1所述的溝槽結構的制造方法，其中該第一溝槽結構與該第二溝槽結構的深度差異為3-5埃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
