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[發明專利]一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法有效

專利信息
申請號: 201210363424.5 申請日: 2012-09-26
公開(公告)號: CN102854684A 公開(公告)日: 2013-01-02
發明(設計)人: 焦峰;王海宏 申請(專利權)人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
主分類號: G02F1/1368 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 210033 江蘇省南京市仙林大道科*** 國省代碼: 江蘇;32
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 金屬 氧化物 邊緣 開關 液晶顯示 面板 及其 制造 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法。

背景技術

傳統的CRT顯示器依靠陰極射線管發射電子撞擊屏幕上的磷光粉來顯示圖像,但液晶顯示的原理則完全不同。通常,液晶顯示(LCD)裝置具有上基板和下基板,彼此有一定間隔和互相正對。形成在兩個基板上的多個電極相互正對。液晶夾在上基板和下基板之間。電壓通過基板上的電極施加到液晶上,然后根據所作用的電壓改變液晶分子的排列從而顯示圖像、因為如上所述液晶顯示裝置不發射光,它需要光源來顯示圖像。因此,液晶顯示裝置具有位于液晶面板后面的背光源。根據液晶分子的排列控制從背光源入射的光量從而顯示圖像。如圖1所示,上層偏光片101和下層偏光片109之間夾有彩膜基板104、共通電極105、液晶層106和陣列基板107,液晶分子是具有折射率及介電常數各向異性的物質。在陣列基板107上形成像素電極108、薄膜晶體管(TFT)114、陣列子像素111、掃描線110、信號線112等。信號線112連接到TFT的漏極,像素電極108連接到源級,掃描線110連接到柵極。背光源113發出的光線經過下偏光片109,成為具有一定偏振方向的偏振光。薄膜晶體管114控制像素電極108之間所加電壓,而該電壓作用于液晶來控制偏振光的偏振方向,偏振光透過相應的彩膜102后形成單色偏振光,如果偏振光能夠穿透上層偏光片101,則顯示出相應的顏色;電場強度不同,液晶分子的偏轉角度也不同,透過的光強不一樣,顯示的亮度也不同。通過紅綠藍三種顏色的不同光強的組合來顯示五顏六色的圖像。

近年來隨著液晶顯示器尺寸的不斷增大,驅動電路的頻率不斷提高,現有的非晶硅薄膜晶體管遷移率很難滿足要求。高遷移率的薄膜晶體管有多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管,其中多晶硅薄膜晶體管雖然研究較早,但是其均一性差,制作工藝復雜;金屬氧化物薄膜晶體管相比于多晶硅薄膜晶體管的優點在于:氧化物材料的遷移率高。所以不需要采用晶化技術,節省工藝步驟,提高了均勻率和合格率;工藝簡單,采用傳統的濺射和濕刻工藝就可以,不需要采用等離子增強化學氣相沉積和干刻技術。另外,目前的激光晶化技術還達不到大尺寸面板的要求,而氧化物晶體管因為不需要激光晶化,則沒有尺寸的限制。由于這幾方面的優勢,金屬氧化物薄膜晶體管備受人們關注,成為近幾年研究的熱點。

發明內容

本發明的目的在于提供一種提高TFT驅動能力和簡化工藝的金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法。

本發明提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板,包括:掃描線;信號線,與掃描線縱橫交叉,所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線;像素單元,由掃描線和信號線交叉限定,所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極,所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極,所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層;柵格狀共通電極,位于頂層;第一絕緣層,覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上;共通電極線,與所述柵格狀共通電極線電性連接;第二絕緣層,覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上。

本發明又提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板,包括:掃描線,位于頂層;信號線,與掃描線縱橫交叉,所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線;像素單元,由掃描線和信號線交叉限定,所述每個像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極,所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極;共通電極,位于底層;第一絕緣層,覆蓋在共通電極之上;共通電極線,位于頂層與所述共通電極線電性連接;第二絕緣層,覆蓋在信號線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。

本發明又提供一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法,包括如下步驟:

第一步:基板上形成底層金屬氧化物層,具體形成:像素電極圖案、源漏極連接線圖案、以及信號線連接線圖案;

第二步:在源漏極連接線之間形成保護層圖案,然后利用離子注入方式讓保護層以外的金屬氧化物成為具有導體特性的透明電極;

第三步:在形成第二步圖案的基礎形成第一絕緣層圖案,并在信號線連接的兩端形成第一接觸孔和第二接觸孔;

第四步:在第一絕緣層圖案上以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極圖案;

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