[發明專利]一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板及其制造方法

有效

• 申請號: 201210363424.5
• 申請日: 2012-09-26
• 公開（公告）號: CN102854684A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 焦峰;王海宏
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：

掃描線；

信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；

像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極，所述TFT源極、TFT漏極及像素電極位于底層；

柵格狀共通電極，位于頂層；

第一絕緣層，覆蓋在TFT源極、TFT漏極和像素電極之上；

共通電極線，與所述柵格狀共通電極線電性連接；

第二絕緣層，覆蓋在信號線、掃描線和共通電極線之上。

2.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板，其特征在于，包括：

掃描線，位于頂層；

信號線，與掃描線縱橫交叉，所述信號線包括第一信號線、相鄰像素單元的第二信號線和位于第一信號線和第二信號線之間的信號線連接線；

像素單元，由掃描線和信號線交叉限定，所述每個像素單元包括薄膜晶體管和柵格狀像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線電性連接的TFT柵極、與信號線連接線電性連接的TFT源極、以及與像素電極電性連接的TFT漏極；

共通電極，位于底層；

第一絕緣層，覆蓋在共通電極之上；

共通電極線，位于頂層與所述共通電極線電性連接；

第二絕緣層，覆蓋在信號線連接線、TFT源極、TFT漏極以及柵格狀像素電極之上。

3.根據權利要求1或2所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述信號線連接線、TFT源極、TFT漏極以及像素電極為金屬氧化物，其上通過離子注入方式成為具有導體特性的透明電極。

4.根據權利要求1或2所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述TFT源極與TFT漏極之間設有保護層。

5.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：基板上形成底層金屬氧化物層，具體形成：像素電極圖案、源漏極連接線圖案、以及信號線連接線圖案；

第二步：在源漏極連接線之間形成保護層圖案，然后利用離子注入方式讓保護層以外的金屬氧化物成為具有導體特性的透明電極；

第三步：在形成第二步圖案的基礎形成第一絕緣層圖案，并在信號線連接的兩端形成第一接觸孔和第二接觸孔；

第四步：在第一絕緣層圖案上以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線、以及TFT柵極圖案；

第五步：在形成第四步圖案的基礎上形成第二絕緣層，并在掃描線和共通電極線相應位置上形成接觸孔圖案；

第六步：在第二絕緣層上形成柵格狀共通電極圖案，所述柵格狀共通電極通過接觸孔電連接共通電極線。

6.一種金屬氧化物邊緣場開關型液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步：基板上形成共通電極圖形；

第二步：在共通電極上形成第一絕緣層，并在共通電極上形成第一接觸孔圖形；

第三步：在第一絕緣層形成金屬氧化物層，具體形成：柵格狀像素電極圖案、與柵格狀像素電極圖案連接的源漏極連接線圖案、以及與源漏極連接線連接的信號線連接線圖案，所述柵格狀像素電極通過第一接觸孔連接共通電極與共通電極連接線；

第四步：在源漏極連接線上形成保護層圖形，然后利用離子注入方式讓溝道保護層圖形以外的金屬氧化物成為具有導體特性的透明電極；

第五步：在形成第四步圖案的基礎上形成第二絕緣層，并在信號線連接線位置的兩端形成第二接觸孔和第三接觸孔、在共通電極連接線的相應位置上形成第四接觸孔圖形；

第六步：在第二絕緣層上以金屬形成信號線、掃描線、共通電極線、以及與掃描線連接的TFT柵極的圖案，通過信號線位置通過相鄰的信號線連接線的第二接觸孔和第三接觸孔連接，通過共通電極連接線上的第四接觸孔連接共通電極連接線與共通電極線。

7.根據權利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于：所述第一絕緣層和第二絕緣層的材料均是SiNx或SiO₂。

8.根據權利要求5或6所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于：所述保護層圖形的材料是SiNx或SiO2。