[發明專利]存儲單元布局

有效

• 申請號: 201210362941.0
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN103035278A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 張美菁;陶昌雄;鄧儒杰;許國原
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

技術領域

本發明涉及的是存儲單元的布局。

背景技術

集成電路的電路元件布局在很大程度上影響著電路的性能和管芯面積。例如，與其他電路相比，沒有優化的布局可能導致電路具有額外的線路和/或額外的負載。該額外的線路增加了整個電路的管芯面積。在一些情況下，額外的負載降低了存儲器宏的讀取速度。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發明的一方面，提供了一種半導體結構，包括：第一帶狀單元，具有第一帶狀單元參考電壓(VSS)區域；第一讀取端口，具有第一讀取端口VSS區域、第一讀取端口讀取位線區域和第一讀取端口聚合物區域；以及第一VSS端，被配置為將所述第一帶狀單元VSS區域與所述第一讀取端口VSS區域電連接。

該半導體結構還包括：第二帶狀單元，具有第二帶狀單元VSS區域；第二讀取端口，具有第二讀取端口VSS區域，第二讀取端口讀取位線區域和第二讀取端口聚合物區域；以及第二VSS端，被配置為將所述第二帶狀單元VSS區域與所述第二讀取端口VSS區域電連接，其中，所述第一VSS端和所述第二VSS端電連接在一起；所述第一讀取端口屬于存儲器宏的第一段；而所述第二讀取端口屬于所述存儲器宏的第二段。

該半導體結構還包括：第三讀取端口，屬于所述第一段；第四讀取端口，屬于所述第二段；以及第三VSS接觸端，被配置為將所述第三讀取端口的第三讀取端口VSS區域與所述第四讀取端口的第四讀取端口VSS區域相連接。

該半導體結構還包括：第二讀取端口，具有第二讀取端口讀取位線區域；以及第一讀取位線接觸端，被配置為將所述第一讀取端口讀取位線區域與所述第二讀取端口讀取位線區域電連接。

在該半導體結構中，所述第一讀取端口VSS區域對應于所述第一讀取端口的第一晶體管的源極區域；所述第一讀取端口讀取位線區域對應于所述第一讀取端口的第二晶體管的漏極區域；以及所述第一讀取端口聚合物區域對應于所述第二晶體管的柵極區域。

該半導體結構還包括：第二帶狀單元，所述第一帶狀單元屬于存儲器宏的第一列，所述第二帶狀單元屬于所述存儲器宏的第二列；第一帶狀單元聚合物端，被配置為將所述第一帶狀單元的第一帶狀單元聚合物區域與所述第二帶狀單元的第二帶狀單元聚合物區域電連接；第二讀取端口，具有第二讀取端口聚合物區域；以及第一讀取端口聚合物端，被配置為將所述第一讀取端口的所述第一讀取端口聚合物區域與所述第二讀取端口的所述第二讀取端口聚合物區域電連接。

在該半導體結構中，所述第一帶狀單元聚合物端與所述第一VSS端電連接。

在該半導體結構中，所述第一VSS端通過位于擴散區域和第一金屬層之間的第一通孔、位于所述第一金屬層和第二金屬層之間的第二通孔、位于所述第二金屬層和第三金屬層之間的第三通孔以及位于所述第三金屬層和第四金屬層之間的第四通孔與VSS線電連接。

根據本發明的另一方面，提供了一種結構，包括：第一段，包括：第一帶狀單元；以及多個第一讀取端口；以及第二段，包括：第二帶狀單元；以及多個第二讀取端口，其中，所述第一帶狀單元的第一帶狀單元參考電壓(VSS)區域通過第一VSS接觸端與屬于所述多個第一讀取端口的第一讀取端口的第一讀取端口VSS區域電連接在一起；所述第二帶狀單元的第二帶狀單元VSS區域通過第二VSS接觸端與屬于所述多個第二讀取端口的第二讀取端口的第二讀取端口VSS區域電連接在一起；以及屬于所述多個第一讀取端口的第三讀取端口的第三讀取端口VSS區域通過第三VSS接觸端與屬于所述多個第二讀取端口的第四讀取端口的第四讀取端口VSS區域電連接在一起。

在該結構中，所述第一讀取端口的所述第一讀取端口VSS區域對應于所述第一讀取端口的第一晶體管的源極區域；所述第一讀取端口還包括：第一讀取端口讀取位線區域和第一讀取端口聚合物區域；所述第一讀取端口讀取位線區域對應于所述第一讀取端口的第二晶體管的漏極；并且所述第一讀取端口聚合物區域對應于所述第一讀取端口的所述第二晶體管的柵極。

該結構還包括：VSS線，被配置為電連接所述第一VSS接觸端、所述第二VSS接觸端以及所述第三VSS接觸端。

在該結構中，所述第一VSS接觸端、所述第二VSS接觸端以及所述第三VSS接觸端中的至少一個通過位于擴散區域和第一金屬層之間的第一通孔、位于所述第一金屬層和第二金屬層之間的第二通孔、位于所述第二金屬層和第三金屬層之間的第三通孔以及位于所述第三金屬層和第四金屬層之間的第四通孔與VSS線電連接。