[發明專利]存儲單元布局

有效

• 申請號: 201210362941.0
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN103035278A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 張美菁;陶昌雄;鄧儒杰;許國原
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體結構，包括：

第一帶狀單元，具有第一帶狀單元參考電壓(VSS)區域；

第一讀取端口，具有第一讀取端口VSS區域、第一讀取端口讀取位線區域和第一讀取端口聚合物區域；以及

第一VSS端，被配置為將所述第一帶狀單元VSS區域與所述第一讀取端口VSS區域電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

第二帶狀單元，具有第二帶狀單元VSS區域；

第二讀取端口，具有第二讀取端口VSS區域，第二讀取端口讀取位線區域和第二讀取端口聚合物區域；以及

第二VSS端，被配置為將所述第二帶狀單元VSS區域與所述第二讀取端口VSS區域電連接，

其中，

所述第一VSS端和所述第二VSS端電連接在一起；

所述第一讀取端口屬于存儲器宏的第一段；而

所述第二讀取端口屬于所述存儲器宏的第二段。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，還包括：

第三讀取端口，屬于所述第一段；

第四讀取端口，屬于所述第二段；以及

第三VSS接觸端，被配置為將所述第三讀取端口的第三讀取端口VSS區域與所述第四讀取端口的第四讀取端口VSS區域相連接。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

第二讀取端口，具有第二讀取端口讀取位線區域；以及

第一讀取位線接觸端，被配置為將所述第一讀取端口讀取位線區域與所述第二讀取端口讀取位線區域電連接。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，

所述第一讀取端口VSS區域對應于所述第一讀取端口的第一晶體管的源極區域；

所述第一讀取端口讀取位線區域對應于所述第一讀取端口的第二晶體管的漏極區域；以及

所述第一讀取端口聚合物區域對應于所述第二晶體管的柵極區域。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：

第二帶狀單元，所述第一帶狀單元屬于存儲器宏的第一列，所述第二帶狀單元屬于所述存儲器宏的第二列；

第一帶狀單元聚合物端，被配置為將所述第一帶狀單元的第一帶狀單元聚合物區域與所述第二帶狀單元的第二帶狀單元聚合物區域電連接；

第二讀取端口，具有第二讀取端口聚合物區域；以及

第一讀取端口聚合物端，被配置為將所述第一讀取端口的所述第一讀取端口聚合物區域與所述第二讀取端口的所述第二讀取端口聚合物區域電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述第一帶狀單元聚合物端與所述第一VSS端電連接。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一VSS端通過位于擴散區域和第一金屬層之間的第一通孔、位于所述第一金屬層和第二金屬層之間的第二通孔、位于所述第二金屬層和第三金屬層之間的第三通孔以及位于所述第三金屬層和第四金屬層之間的第四通孔與VSS線電連接。

9.一種結構，包括：

第一段，包括：

第一帶狀單元；以及

多個第一讀取端口；以及

第二段，包括：

第二帶狀單元；以及

多個第二讀取端口，

其中，

所述第一帶狀單元的第一帶狀單元參考電壓(VSS)區域通過第

一VSS接觸端與屬于所述多個第一讀取端口的第一讀取端口的第一讀取端口VSS區域電連接在一起；

所述第二帶狀單元的第二帶狀單元VSS區域通過第二VSS接觸端與屬于所述多個第二讀取端口的第二讀取端口的第二讀取端口VSS區域電連接在一起；以及

屬于所述多個第一讀取端口的第三讀取端口的第三讀取端口VSS區域通過第三VSS接觸端與屬于所述多個第二讀取端口的第四讀取端口的第四讀取端口VSS區域電連接在一起。

10.一種方法，包括：

將第一參考電壓(VSS)接觸端配置成將第一帶狀單元的第一帶狀單元VSS區域與第一讀取端口的第一讀取端口VSS區域相連接；

將第一讀取位線接觸端配置成將所述第一讀取端口的所述第一讀取位線區域與第一讀取位線相連接；

將第二VSS接觸端配置成將第二帶狀單元的第二帶狀單元VSS區域與第二讀取端口的第二讀取端口VSS區域相連接；以及

將第二讀取位線接觸端配置成將所述第二讀取端口的第二讀取位線區域與不同于所述第一讀取位線的第二讀取位線相連接。