[發明專利]一種導電溝道制作方法有效
| 申請號： | 201210361835.0 | 申請日： | 2012-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN103681342A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電 溝道 制作方法 | ||
1.一種導電溝道制作方法，應用于金屬氧化物半導體場效應晶體管制作，該方法包括：
提供一半導體基體，所述半導體基體上具有虛擬柵極和環繞所述虛擬柵極的側墻，以所述虛擬柵極和側墻為遮蔽，在所述半導體基體中形成源極和漏極；
在所述半導體基體上沉積介質層，所述介質層覆蓋所述虛擬柵極、側墻以及源極和漏極表面；
化學機械研磨所述介質層直到露出所述虛擬柵極表面；
刻蝕去除所述虛擬柵極形成柵極窗口；柵極窗口中刻蝕硅襯底形成Σ型溝槽，所述Σ型溝槽的兩邊側壁分別延伸至所述源極和漏極中；
在所述Σ型溝槽中填充硅化物形成Σ型導電溝道。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體基體是硅襯底。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體基體是位于半導體襯底上的鰭片，所述虛擬柵極是所述鰭片頂部的柵極。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底是體硅或者絕緣層上硅SOI。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Σ型溝槽的高度是10到200納米。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅化物是碳化硅或鍺化硅。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充硅化物的方法是多步外延，Σ型導電溝道中非硅元素占所述硅化物的摩爾分數百分比范圍是5％～35％。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Σ型導電溝道中非硅元素占所述硅化物的摩爾分數分布規律是中部大于邊緣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
