[發(fā)明專(zhuān)利]切割/芯片接合薄膜

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210361018.5
• 申請(qǐng)日: 2008-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102911618A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 神谷克彥;松村健;村田修平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C09J7/02
• 分類(lèi)號(hào): C09J7/02;C09J133/08;H01L21/68
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

本申請(qǐng)是中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)200880115089.9號(hào)（對(duì)應(yīng)于PCT國(guó)際申請(qǐng)PCT/JP2008/069798）的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及將用于固著芯片狀工件（半導(dǎo)體芯片等）與電極構(gòu)件的膠粘劑在切割前附著在工件（半導(dǎo)體晶片等）上的狀態(tài)下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜。

背景技術(shù)

形成有電路圖案的半導(dǎo)體晶片（工件），在根據(jù)需要通過(guò)背面研磨而調(diào)節(jié)厚度后，切割為半導(dǎo)體芯片（芯片狀工件）（切割工序）。在切割工序中，為了除去切割層，一般在適度的液壓（通常約2kg/cm²）下清洗半導(dǎo)體晶片。然后，將前述半導(dǎo)體芯片利用膠粘劑固著到引線框等被粘物上（安裝工序）后，移至接合工序。在所述安裝工序中，將膠粘劑涂布到引線框或半導(dǎo)體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化比較困難，另外膠粘劑的涂布需要特殊裝置和長(zhǎng)時(shí)間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導(dǎo)體晶片并且還提供安裝工序所需要的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜（例如，參考專(zhuān)利文獻(xiàn)1）。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上可剝離地設(shè)置有膠粘劑層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導(dǎo)體晶片后，拉伸支撐基材將半導(dǎo)體芯片與膠粘劑層一起剝離，將其分別回收后通過(guò)該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。

對(duì)于此種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，希望具有對(duì)半導(dǎo)體晶片的良好保持力和能夠?qū)⑶懈詈蟮陌雽?dǎo)體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性，以不產(chǎn)生不能切割或尺寸誤差等問(wèn)題。但是，使該兩種特性平衡決不是件容易的事。特別是像用旋轉(zhuǎn)圓刀等切割半導(dǎo)體晶片的方式等，要求膠粘劑層具有大的保持力的情況下，難以得到滿(mǎn)足上述特性的切割/芯片接合薄膜。

因此，為了解決這樣的問(wèn)題，提出了各種改良法（例如，參考專(zhuān)利文獻(xiàn)2）。在專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，提出了在支撐基材與膠粘劑層之間介有可紫外線固化的粘合劑層，將其切割后進(jìn)行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，通過(guò)兩者間的剝離而容易地拾取半導(dǎo)體芯片的方法。

但是，即使通過(guò)該改良法，有時(shí)也難以得到使切割時(shí)的保持力與之后的剝離性良好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在得到10mm×10mm以上的大型半導(dǎo)體芯片時(shí)，由于其面積大，因此通過(guò)一般的芯片接合機(jī)不能容易地拾取半導(dǎo)體芯片。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)昭60-57642號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平2-248064號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而進(jìn)行，其目的在于提供具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合薄膜即使在半導(dǎo)體晶片為薄型的情況下，將該薄型工件切割時(shí)的保持力與將通過(guò)切割得到的半導(dǎo)體芯片和該芯片接合薄膜一體地剝離時(shí)的剝離性的平衡特性也優(yōu)良。

本發(fā)明人為了解決上述現(xiàn)有問(wèn)題，對(duì)切割/芯片接合薄膜進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，切割薄膜中所含的多官能單體成分物質(zhì)擴(kuò)散到芯片接合薄膜中，由此切割薄膜與芯片接合薄膜的交界面消失，由此拾取性下降，并且完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，為了解決上述問(wèn)題，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設(shè)置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對(duì)于丙烯酸酯含量在10~30摩爾%范圍內(nèi)的含羥基單體和相對(duì)于含羥基單體含量在70~90摩爾%范圍內(nèi)的具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構(gòu)成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹(shù)脂而構(gòu)成。

本發(fā)明的切割薄膜中，由于使用丙烯酸酯作為主單體，因此可以實(shí)現(xiàn)剝離力的下降，結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)良好的拾取性。另外，通過(guò)將含羥基單體的含量設(shè)定為10摩爾%以上，抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結(jié)果，例如可以防止切割時(shí)對(duì)粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過(guò)使所述含量為30摩爾%以下，可以防止紫外線照射交聯(lián)過(guò)度進(jìn)行而難以剝離從而使拾取性下降。

另外，本發(fā)明中，由于采用具有自由基反應(yīng)性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物代替多官能單體，因此不會(huì)發(fā)生該多官能單體在芯片接合薄膜中物質(zhì)擴(kuò)散的情況。結(jié)果，可以防止切割薄膜與芯片接合薄膜的邊界面消失，可以實(shí)現(xiàn)更好的拾取性。

前述構(gòu)成中，所述丙烯酸酯優(yōu)選為CH₂=CHCOOR（式中，R為碳原子數(shù)6~10的烷基）。使用CH₂=CHCOOR作為丙烯酸酯時(shí)，通過(guò)使用式中的烷基R的碳原子數(shù)為6~10的范圍內(nèi)的丙烯酸酯，可以防止剝離力過(guò)大而使拾取性下降。