[發明專利]切割/芯片接合薄膜

無效

• 申請號: 201210361018.5
• 申請日: 2008-10-30
• 公開（公告）號: CN102911618A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 神谷克彥;松村健;村田修平
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/08;H01L21/68
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯含量在10~30摩爾%范圍內的含羥基單體和相對于含羥基單體含量在70~90摩爾%范圍內的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構成的聚合物，

所述丙烯酸酯為CH₂=CHCOOR，式中，R為碳原子數6~10的烷基，

所述芯片接合薄膜含有環氧樹脂和丙烯酸類樹脂而構成。

2.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述含羥基單體為選自由（甲基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羥基己酯、（甲基）丙烯酸-8-羥基辛酯、（甲基）丙烯酸-10-羥基癸酯、（甲基）丙烯酸-12-羥基月桂酯和（甲基）丙烯酸-（4-羥甲基環己基）甲酯組成的組中的至少任意一種。

3.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。

4.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述聚合物的重均分子量在35萬至100萬的范圍內。

5.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合劑層的紫外線照射前的23℃下的拉伸彈性模量在0.4~3.5MPa的范圍內，紫外線照射后的23℃下的拉伸彈性模量在7~100MPa的范圍內。

6.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述粘合劑層不含丙烯酸。