[發(fā)明專利]移位寄存器電路和芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210359883.6 | 申請日： | 2012-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN102881333A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃如;張耀凱;蔡一茂;陳誠 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | G11C19/28 | 分類號： | G11C19/28 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 陳蕾;俞波 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 移位寄存器 電路 芯片 | ||
1.一種移位寄存器電路，其特征在于，包括：阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊；
所述阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端相連接，以使所述同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號輸入端口；
所述阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端與一個所述電流敏感模塊的輸入端相連接，以使所述電流敏感模塊的輸出端作為信號輸出端口；
所述電流敏感模塊的輸入端工作時連接到低電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時，所述電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時，所述電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。
2.如權利要求1所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器的阻態(tài)包括：高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。
3.如權利要求2所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器方陣中同一行的阻變憶阻器中有一個處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器；以及，所述阻變憶阻器方陣中同一列的阻變憶阻器中有一個處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。
4.如權利要求1至3中任一權利要求所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器包括：單極型阻變憶阻器或雙極型阻變憶阻器。
5.如權利要求1至3中任一權利要求所述的移位寄存器電路，其特征在于，所述阻變憶阻器包括：阻變存儲器RRAM或相變存儲器PRAM或鐵電存儲器FRAM或磁存儲器MRAM。
6.一種芯片，其特征在于，包括：頂電極金屬條、底電極金屬條和移位寄存器電路；
所述移位寄存器電路包括：阻變憶阻器方陣和電流敏感模塊；
所述阻變憶阻器方陣中同一列阻變憶阻器的正相輸入端通過所述頂電極金屬條相連接，以使所述同一列阻變憶阻器的正相輸入端作為信號輸入端口；
所述阻變憶阻器方陣中同一行阻變憶阻器的反相輸入端通過所述底電極金屬條與一個所述電流敏感模塊的輸入端相連接，以使所述電流敏感模塊的輸出端作為信號輸出端口；
所述電流敏感模塊的輸入端工作時連接到低電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流大于閾值電流時，所述電流敏感模塊的輸出端輸出高電平，所述電流敏感模塊的輸入端接收到的電流小于閾值電流時，所述電流敏感模塊的輸出端輸出低電平。
7.如權利要求6所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器的阻態(tài)包括：高阻值阻態(tài)和低阻值阻態(tài)。
8.如權利要求7所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器方陣中同一行的阻變憶阻器中有一個處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器；以及，所述阻變憶阻器方陣中同一列的阻變憶阻器中有一個處于低阻值阻態(tài)的阻變憶阻器。
9.如權利要求6至8中任一權利要求所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器包括：單極型阻變憶阻器或雙極型阻變憶阻器。
10.如權利要求6至8中任一權利要求所述的芯片，其特征在于，所述阻變憶阻器包括：阻變存儲器RRAM或相變存儲器PRAM或鐵電存儲器FRAM或磁存儲器MRAM。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京大學，未經(jīng)北京大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210359883.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
