[發明專利]混合光學和電子束光刻方法

在審

• 申請號: 201210353673.6
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103681251A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 孟令款;李春龍;賀曉彬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/033
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種混合光學和電子束光刻方法，包括：

在襯底上形成結構材料層和第一硬掩模層；

進行第一光刻/刻蝕，形成第一硬掩模圖形；

在第一硬掩模圖形上形成第二硬掩模層；

進行第二光刻/刻蝕，形成第二硬掩模圖形；

采用各向異性刻蝕技術，刻蝕結構材料層，形成所需要的光學及電子束線條。

2.如權利要求1所述的方法，其中，第一硬掩模層和/或第二硬掩模層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅及其組合。

3.如權利要求2所述的方法，其中，第一硬掩模層為氧化硅-氮化硅-氧化硅疊層結構。

4.如權利要求2所述的方法，其中，第二硬掩模層與第一硬掩模層的頂部材質相同。

5.如權利要求1所述的方法，其中，第一光刻與第二光刻其中之一為普通光學曝光技術，另一個為電子束曝光技術。

6.如權利要求5所述的方法，其中，普通光學曝光技術包括i線365nm曝光、DUV248nm曝光，電子束曝光用于制備圖形尺寸為22nm及以下節點的線條。

7.如權利要求1所述的方法，其中，第一硬掩模層和/或第二硬掩模層和/或結構材料層的刻蝕采用等離子體干法刻蝕技術。

8.如權利要求7所述的方法，其中，等離子體干法刻蝕采用CCP或ICP或TCP設備。

9.如權利要求1所述的方法，其中，結構材料層為假柵電極層、金屬柵電極層、局部互連層中的一種。

10.如權利要求1所述的方法，其中，第一和/或第二硬掩模層采用LPCVD、PECVD、HDPCVD、MBE、ALD方法制備。