[發(fā)明專利]重新布線圖形的形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210353208.2 | 申請日： | 2012-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102881642A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡紅梅 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 重新 布線 圖形 形成 方法 | ||
1.一種重新布線圖形的制造方法，其特征在于，包括：
向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料，所述可顯影填充材料的填充深度小于所述硅通孔的深度；
在所述硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料之上涂布光刻膠材料，所述光刻膠材料與所述可顯影填充材料相兼容；
去除所述光刻膠，以形成重新布線圖形，以及去除硅通孔內(nèi)的可顯影填充材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述可顯影填充材料的填充深度為1/2~2/3的所述硅通孔的深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料具體為：分次向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料包括：
分次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料；
對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理；
使用顯影液對經(jīng)過烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理；
每次顯影處理后對半導(dǎo)體基片進行沖洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，隨著填充次數(shù)的遞增，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量遞減。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次向所述硅通孔中涂布可顯影填充材料時，使用的可顯影填充材料劑量為10毫升~30毫升。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間隨著分次涂布的可顯影填充的劑量減少而縮短。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，對每次涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的時間為60秒~120秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，每次對涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度~205攝氏度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述每次對涂布處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行烘烤處理時，烘烤的溫度為200攝氏度。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的劑量為30毫升~60毫升。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述每次使用的顯影液的劑量為50毫升。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述顯影液為四甲基氫氧化銨。
14.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為23攝氏度~26攝氏度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次使用的顯影液的溫度為25攝氏度。
16.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，顯影液的浸泡時間隨著顯影次數(shù)的增加而依次遞減。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述向半導(dǎo)體基片的硅通孔中填充可顯影填充材料中，使用顯影液對烘烤處理后硅通孔中的可顯影填充材料進行多次顯影處理時，每次顯影液的浸泡時間為2分鐘~6分鐘。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
