[發明專利]基板結構的制作方法

有效

• 申請號: 201210352995.9
• 申請日: 2012-09-20
• 公開（公告）號: CN103531485A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 陳慶盛
• 申請（專利權）人: 旭德科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種基板結構的制作方法，且特別是涉及一種具有較佳制作工藝良率的基板結構的制作方法。

背景技術

體電路的封裝是半導體后段制作工藝中相當重要一部分，其目的是使加工完成后的每一顆芯片受到保護，并且使芯片上的焊墊與印刷電路板（printed?circuit?board,PCB）達成電連接。印刷電路板及芯片承載（chip?carrier）基板上有許多焊點（solder?joints），且這些焊點與印刷電路板或芯片承載基板的線路層的接觸面，在焊接前需經表面處理（surface?finish）或金屬化（Metallization）。一般來說，可在線路層的焊墊上形成鎳-鈀（Ni/Pd）或鎳-金（Ni/Au）的雙金屬層或鎳-鈀-金（Ni/Pd/Au）的三金屬層等表面處理方式。

目前的線路層的焊墊的材質大都為銅，而形成鎳層于焊墊上時是采用無電電鍍法（Electroless?Plating），或稱為化學鍍（chemical?plating）。由于鎳層含有硼或磷的成分，意即Ni-P或Ni-B，因此會影響到微波通訊信號的完整性，尤其是在高頻率時其影響相當明顯。再者，由于是采用化學鍍的方式來形成鎳層，即采用還原型的鍍鎳方式，因此容易產生電鍍液不穩定及鍍層覆蓋不完全的問題產生，進而導致后續化學鍍鈀時發生跳鍍（skip?plating）的現象。此外，由于無電電鍍的初始過程中會產生氣體（如氫氣），如果初始形成的鎳層的厚度較薄，則容易產生空洞（void）或形成金屬氧化物或帶有雜質的硬度較大的非純金屬物質在其表面。因此，化學鍍所形成的鎳層的厚度通常需累積至一定的厚度以上，例如1.5微米以上，然而這樣的鎳層厚度易導致線路間隙較小的產品造成間距（space）不足的現象。

發明內容

本發明的目的在于提供一種基板結構的制作方法，其圖案化銅層上依序形成有第一金層、鎳層以及第二金層，除了可具有較佳的制作工藝良率外，也可維持微波通訊信號的完整性。

為達上述目的，本發明提出一種基板結構的制作方法，其包括以下步驟。提供一基材。基材具有一核心層、一第一圖案化銅層、一第二圖案化銅層以及至少一導電通孔。核心層具有彼此相對的一第一表面與一第二表面。第一圖案化銅層與第二圖案化銅層分別位于第一表面與第二表面上。導電通孔貫穿核心層且連接第一圖案化銅層與第二圖案化銅層。分別形成一第一防焊層與一第二防焊層于核心層的第一表面與第二表面上。第一防焊層與第二防焊層分別暴露出部分第一圖案化銅層與部分第二圖案化銅層。形成一第一金層于第一防焊層與第二防焊層所暴露出的第一圖案化銅層與第二圖案化銅層上。形成一鎳層于第一金層上。形成一第二金層于鎳層上。

在本發明的一實施例中，上述形成第一金屬的方法包括浸鍍(immersion?plating)。

在本發明的一實施例中，上述第一金層的厚度介于0.02微米至0.05微米之間。

在本發明的一實施例中，上述形成鎳層的方法包括還原反應。

在本發明的一實施例中，上述鎳層的厚度介于0.1微米至5微米之間。

在本發明的一實施例中，上述形成第二金屬的方法包括浸鍍(immersion?plating)。

在本發明的一實施例中，上述第二金層的厚度介于0.02微米至0.2微米之間。

在本發明的一實施例中，上述基材還具有至少一貫孔。貫孔貫穿第一圖案化銅層、核心層以及第二圖案化銅層，且第一金層覆蓋貫孔的內壁。

基于上述，本發明的基板結構是于其圖案化銅層上依序形成有第一金層、鎳層以及第二金層。相比較于現有于基板結構的圖案化銅層上依序形成鎳層、鈀層與金層而言，本發明的基板結構的制作方法可具有較佳的制作工藝良率外，也可維持微波通訊信號的完整性。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1E為本發明的一實施例的一種基板結構的制作方法的剖面示意圖。

主要元件符號說明

100：基板結構

110：基材

111：第一表面

112：核心層

113：第二表面

114：第一圖案化銅層

116：第二圖案化銅層

118：導電通孔

119：貫孔

120：第一防焊層

130：第二防焊層

140：第一金層

150：鎳層

160：第二金層