[發明專利]基板結構的制作方法有效
| 申請號: | 201210352995.9 | 申請日: | 2012-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN103531485A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 陳慶盛 | 申請(專利權)人: | 旭德科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 板結 制作方法 | ||
1.一種基板結構的制作方法,包括:
提供一基材,該基材具有核心層、第一圖案化銅層、第二圖案化銅層以及至少一導電通孔,其中該核心層具有彼此相對的第一表面與第二表面,該第一圖案化銅層與該第二圖案化銅層分別位于該第一表面與該第二表面上,而該導電通孔貫穿該核心層且連接該第一圖案化銅層與該第二圖案化銅層;
分別形成一第一防焊層與一第二防焊層于該核心層的該第一表面與該第二表面上,其中該第一防焊層與該第二防焊層分別暴露出部分該第一圖案化銅層與部分該第二圖案化銅層;
形成一第一金層于該第一防焊層與該第二防焊層所暴露出的該第一圖案化銅層與該第二圖案化銅層上;
形成一鎳層于該第一金層上;以及
形成一第二金層于該鎳層上。
2.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中形成該第一金屬的方法包括浸鍍。
3.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中該第一金層的厚度介于0.02微米至0.05微米之間。
4.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中形成該鎳層的方法包括還原反應。
5.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中該鎳層的厚度介于0.1微米至5微米之間。
6.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中形成該第二金屬的方法包括浸鍍。
7.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中該第二金層的厚度介于0.02微米至0.2微米之間。
8.如權利要求1所述的基板結構的制作方法,其中該基材還具有至少一貫孔,該貫孔貫穿該第一圖案化銅層、該核心層以及該第二圖案化銅層,且該第一金層覆蓋該貫孔的內壁。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





