[發(fā)明專利]改變射頻螺旋電感之間的互感的方法和射頻電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210351435.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102915930A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張浩;周沖;龐慰;楊清瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京泛誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11298 | 代理人: | 陳波;文琦 |
| 地址: | 300072*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 改變 射頻 螺旋 電感 之間 互感 方法 電路 | ||
1.一種改變射頻螺旋電感之間的互感的方法,其特征在于,
對(duì)于固定在基底上的兩個(gè)以上射頻螺旋電感,改變至少兩個(gè)射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角,從而改變射頻螺旋電感之間的互感。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述射頻螺旋電感由金屬鍵合線和金屬層走線構(gòu)成;
通過改變所述金屬鍵合線與所述基底的距離來(lái)改變所述射頻螺旋電感所處平面的角度,從而改變至少兩個(gè)射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述射頻螺旋電感由金屬層走線構(gòu)成;
通過配置所述金屬層走線在所述基底的各個(gè)金屬層上的分布來(lái)改變所述射頻螺旋電感所處平面的角度,從而改變至少兩個(gè)射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,使至少一個(gè)射頻螺旋電感處于兩個(gè)平面以上,從而改變至少兩個(gè)射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,
所述射頻螺旋電感由金屬鍵合線和金屬層走線構(gòu)成;
通過改變所述金屬鍵合線與所述基底的距離使至少一個(gè)射頻螺旋電感處于兩個(gè)平面以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,
所述射頻螺旋電感由金屬層走線構(gòu)成;
通過配置所述金屬層走線在所述基底的各個(gè)金屬層上的分布,使至少一個(gè)射頻螺旋電感處于兩個(gè)平面以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基底是半導(dǎo)體襯底、印刷電路板、或?qū)訅悍庋b基底。
8.一種射頻電路,包括基底和固定在該基底上的兩個(gè)以上射頻螺旋電感,其特征在于,
所述兩個(gè)以上射頻螺旋電感中,至少有兩個(gè)射頻螺旋電感所處的平面不互相平行。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻電路,其特征在于,所述基底是半導(dǎo)體襯底、印刷電路板、或?qū)訅悍庋b基底。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻電路,其特征在于,所述射頻螺旋電感由金屬鍵合線和金屬層走線構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的射頻電路,其特征在于,至少有一個(gè)射頻螺旋電感處于兩個(gè)平面以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻電路,其特征在于,所述射頻螺旋電感由金屬層走線構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的射頻電路,其特征在于,所述金屬層走線分布在所述基底的不同金屬層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





