[發明專利]改變射頻螺旋電感之間的互感的方法和射頻電路有效
| 申請號: | 201210351435.1 | 申請日: | 2012-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN102915930A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 張浩;周沖;龐慰;楊清瑞 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/64 |
| 代理公司: | 北京泛誠知識產權代理有限公司 11298 | 代理人: | 陳波;文琦 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改變 射頻 螺旋 電感 之間 互感 方法 電路 | ||
技術領域
本發明涉及電子電路技術領域,特別地涉及改變射頻螺旋電感之間的互感的方法和射頻電路。
背景技術
射頻電路通常由電感、電容、傳輸線等無源器件和有源器件組成。電感器依靠線圈的感抗阻礙電流的變化,具有篩選信號、過濾噪聲、穩定電流及抑制電磁波干擾等重要的作用。電感器有繞線電感及射頻螺旋電感等多種形式。射頻螺旋電感可以和其它射頻有源或無源器件一起加工在芯片、PCB板、封裝基底上,相對于傳統的繞線電感,射頻螺旋電感具有成本低、集成度高、噪聲小、功耗低的優點。傳統的射頻螺旋電感如圖1所示,圖1中示出了承載元器件的基底11(包括但不限于硅襯底、Ⅲ-Ⅳ化合物襯底等半導體襯底,印刷電路板,層壓封裝基底等)和基底上的三個射頻螺旋電感12、13、14。射頻螺旋電感的形狀包括但不限于螺旋線、蛇形走線、直線等各種形狀。因為射頻螺旋電感呈平板形,所以往往也稱作平面螺旋電感。
圖1是與本發明實施例有關的具有多個射頻螺旋電感的基底的簡圖,圖中僅示出了三個射頻螺旋電感,省略了其他元件。在存在多個射頻螺旋電感的情況下,這些射頻螺旋電感之間會有耦合現象,即產生互感。
隨著射頻電路的尺寸日益縮小,它所包含的射頻元器件也面臨著越來越擁擠的環境,使得人們在電路設計過程中,為實現電路的性能要求,不得不考慮這些電感之間的耦合及隔離。如何在小尺寸環境下保證器件相互具有較高隔離度成為射頻電路設計中亟待解決的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種改變射頻螺旋電感之間的互感的方法和射頻電路,有助于提高射頻電路中的螺旋電感之間的隔離度。
為實現上述目的,根據本發明的一個方面,提供了一種改變射頻螺旋電感之間的互感的方法。
本發明的改變射頻螺旋電感之間的互感的方法中,對于固定在基底上的兩個以上射頻螺旋電感,改變至少兩個射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角,從而改變射頻螺旋電感之間的互感。
可選地,所述射頻螺旋電感由金屬鍵合線和金屬層走線構成;通過改變所述金屬鍵合線與所述基底的距離來改變所述射頻螺旋電感所處平面的角度,從而改變至少兩個射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角。
可選地,所述射頻螺旋電感由金屬層走線構成;通過配置所述金屬層走線在所述基底的各個金屬層上的分布來改變所述射頻螺旋電感所處平面的角度,從而改變至少兩個射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角。
可選地,使至少一個射頻螺旋電感處于兩個平面以上,從而改變至少兩個射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角。
可選地,所述射頻螺旋電感由金屬鍵合線和金屬層走線構成;通過改變所述金屬鍵合線與所述基底的距離使至少一個射頻螺旋電感處于兩個平面以上。
可選地,所述射頻螺旋電感由金屬層走線構成;通過配置所述金屬層走線在所述基底的各個金屬層上的分布,使至少一個射頻螺旋電感處于兩個平面以上。
可選地,所述基底是半導體襯底、印刷電路板、或層壓封裝基底。
根據本發明的另一方面,提供了一種射頻電路。
本發明的射頻電路包括基底和固定在該基底上的兩個以上射頻螺旋電感,所述兩個以上射頻螺旋電感中,至少有兩個射頻螺旋電感所處的平面不互相平行。
可選地,所述基底是半導體襯底、印刷電路板、或層壓封裝基底。
可選地,所述射頻螺旋電感由金屬鍵合線和金屬層走線構成。
可選地,至少有一個射頻螺旋電感處于兩個平面以上。
可選地,所述射頻螺旋電感由金屬層走線構成。
可選地,所述金屬層走線分布在所述基底的不同金屬層上。
根據本發明的技術方案,能夠在射頻螺旋電感占用面積不變的條件下,通過改變射頻螺旋電感所處的平面之間的夾角大小實現增大或者減小射頻螺旋電感之間的互感,從而有助于在小尺寸環境下實現射頻螺旋電感之間較高的隔離度。
附圖說明
附圖用于更好地理解本發明,并不構成對本發明的不當限定。其中:
圖1是與本發明實施例有關的具有多個射頻螺旋電感的基底的簡圖;
圖2A是與本發明實施例有關的固定在基底上的兩個由鍵合線和金屬層走線構成的射頻螺旋電感的示意圖;
圖2B是圖2A中的S方向的視圖;
圖3A是與本發明實施例有關的固定在基底上的由鍵合線和金屬層走線構成并且繞制圈數更多的射頻螺旋電感的示意圖;
圖3B是圖3A中射頻螺旋電感處于一個平面的S方向的視圖;
圖3C是圖3A中射頻螺旋電感處于兩個平面的S方向的視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





