[發(fā)明專利]具有寬帶反射特性的干涉式光學(xué)調(diào)制器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210350792.6
• 申請(qǐng)日: 2008-08-19
• 公開（公告）號(hào): CN102854619A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號(hào): G02B26/00
• 分類號(hào): G02B26/00;G02B26/08;G02B5/08
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 劉國(guó)偉

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的領(lǐng)域涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，且更明確地說，涉及包括MEMS的顯示器。

背景技術(shù)

微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包含微機(jī)械元件、激活器和電子元件?？墒褂贸练e、蝕刻和/或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機(jī)電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機(jī)械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語(yǔ)干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對(duì)導(dǎo)電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號(hào)時(shí)進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在特定實(shí)施例中，一個(gè)板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個(gè)板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述，一個(gè)板相對(duì)于另一個(gè)板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項(xiàng)技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進(jìn)現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。

發(fā)明內(nèi)容

揭示本發(fā)明的許多示范性實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)施例中，揭示一種光學(xué)裝置，所述光學(xué)裝置包括：光學(xué)堆疊，其包括：第一層，其具有第一折射率；在所述第一層上的第二層，所述第二層具有小于第一折射率的第二折射率；及在所述第二層上的第三層，所述第三層具有大于第二折射率的第三折射率；及第四層，其為至少部分光學(xué)吸收性的，其中光學(xué)堆疊與第四層在裝置處于第一狀態(tài)下時(shí)彼此相距第一距離，且在裝置處于第二狀態(tài)下時(shí)彼此相距第二距離，所述第一距離不同于所述第二距離。

在一個(gè)實(shí)施例中，揭示一種形成光學(xué)裝置的方法，所述方法包括：形成第一層，所述第一層具有第一折射率；在第一層上形成第二層，所述第二層具有小于第一折射率的第二折射率；在第二層上形成第三層，所述第三層具有大于第二折射率的第三折射率；在第三層上形成犧牲層；在犧牲層上形成第四層，所述第四層為至少部分光學(xué)吸收性的；及移除所述犧牲層。

在一個(gè)實(shí)施例中，揭示一種調(diào)制光的方法，所述方法包括：提供光學(xué)裝置，所述光學(xué)裝置包括：光學(xué)堆疊，所述光學(xué)堆疊包括：第一層，其具有第一折射率；在所述第一層上的第二層，所述第二層具有小于第一折射率的第二折射率；及在所述第二層上的第三層，所述第三層具有大于第二折射率的第三折射率；及第四層，其為至少部分光學(xué)吸收性的，其中光學(xué)堆疊與第四層在裝置處于第一狀態(tài)下時(shí)彼此相距第一距離，且在裝置處于第二狀態(tài)下時(shí)彼此相距第二距離，所述第一距離不同于所述第二距離；將第一電壓施加到裝置以將所述裝置置于第一狀態(tài)下；及將第二電壓施加到裝置以將所述裝置置于第二狀態(tài)下。

在一個(gè)實(shí)施例中，揭示一種光學(xué)裝置，所述光學(xué)裝置包括：用于反射及透射光的第一裝置，所述第一裝置具有第一折射率；用于反射及透射光的第二裝置，所述第二裝置在所述第一裝置上，所述第二裝置具有小于第一折射率的第二折射率；及用于反射及透射光的第三裝置，所述第三裝置在所述第二裝置上，所述第三裝置具有大于第二折射率的第三折射率；及用于反射及吸收光的第四裝置，其中第三裝置與第四裝置在裝置處于第一狀態(tài)下時(shí)彼此相距第一距離，且在裝置處于第二狀態(tài)下時(shí)彼此相距第二距離，所述第一距離不同于所述第二距離。

附圖說明

圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個(gè)實(shí)施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動(dòng)反射層處于激活位置。

圖2是說明并入有3×3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個(gè)實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。

圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個(gè)示范性實(shí)施例的可移動(dòng)鏡位置對(duì)所施加電壓的圖。

圖4是可用于驅(qū)動(dòng)干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。

圖5A說明圖2的3×3干涉式調(diào)制器顯示器中的顯示器數(shù)據(jù)的一個(gè)示范性幀。

圖5B說明可用于寫入圖5A的幀的行和列信號(hào)的一個(gè)示范性時(shí)序圖。

圖6A和圖6B是說明包括多個(gè)干涉式調(diào)制器的視覺顯示器裝置的實(shí)施例的系統(tǒng)框圖。

圖7A是圖1的裝置的橫截面。

圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實(shí)施例的橫截面。

圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實(shí)施例的橫截面。

圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實(shí)施例的橫截面。

圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實(shí)施例的橫截面。

圖8為具有寬帶反射特性的干涉式調(diào)制器的橫截面。