[發(fā)明專利]光電元件封裝體及可拆卸式封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210350402.5 | 申請日: | 2012-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN103378179A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 蕭旭良;盧冠甫;葉子敬;顏俊強 | 申請(專利權(quán))人: | 源杰科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 元件 封裝 可拆卸 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝體與封裝結(jié)構(gòu),且特別是有關(guān)于一種光電元件封裝體與可拆卸式封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
為了使電子產(chǎn)品的耐用性提升,且為了使電子產(chǎn)品適用于不同的使用環(huán)境,現(xiàn)有技術(shù)通常是利用封裝結(jié)構(gòu)來將一些芯片或電子元件包覆起來,以隔絕外界的水氣或空氣。此外,對于其他的各種產(chǎn)品而言,采用封裝結(jié)構(gòu)可達到保護產(chǎn)品、提升可靠度及提升耐用性等優(yōu)點。
在光電產(chǎn)品蓬勃發(fā)展的今日,各類光電元件已經(jīng)普遍地應用成熟的半導體工藝技術(shù),并不斷地朝著微型化及多功能化的方向發(fā)展。應用半導體工藝技術(shù)的光電元件可使用于光學高清晰度多媒體接口(Optical?HDMI)或光聯(lián)結(jié)收發(fā)器(Active?Optical?Cable/AOC?Transceiver)等光電轉(zhuǎn)換組件。
光電元件的封裝是影響光電元件、光電組件良率及封裝成本的關(guān)鍵技術(shù)之一。在光電元件中,為使光線能高效率地在導光元件(例如是光纖)與發(fā)光元件(例如是激光或發(fā)光二極管)或感光元件(例如是光電二極管)之間傳遞,導光元件與發(fā)光元件或感光元件需要先經(jīng)過精準校準后才能進行后續(xù)的封裝步驟。目前,現(xiàn)有的光電元件須通過人工的方式在顯微鏡下以特殊夾具進行校準,不僅成本較高,工藝的穩(wěn)定性也較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光電元件封裝體及可拆卸式封裝結(jié)構(gòu),光電元件封裝體以雙重校準的結(jié)構(gòu)來達到高精準度的校準以簡化光電元件的封裝工藝。可拆卸式封裝結(jié)構(gòu)便于被拆卸,以更換封裝結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)缺陷或有問題的元件。
本發(fā)明的一實施例提供一種光電元件封裝體,包括下板結(jié)構(gòu)、上板結(jié)構(gòu)、至少一光電元件及至少一導光元件。下板結(jié)構(gòu)包括第一承載部及第一基底部。第一承載部具有多個第一校準部,第一基底部配置在第一承載部上,第一基底部具有多個第二校準部。上板結(jié)構(gòu)包括第二承載部及第二基底部,第二承載部具有多個第三校準部,且第一校準部搭配第三校準部以組合上板結(jié)構(gòu)與下板結(jié)構(gòu)。第二基底部配置在第二承載部上,第二基底部具有多個第四校準部,且第二校準部搭配第四校準部以定位第一基底部與第二基底部。至少一光電元件,配置在該第一基底部上,并且位于該第一基底部與該第二基底部之間,其中該光電元件用來發(fā)出或接收光信號;至少一導光元件,配置在該第一基底部與該第二基底部之間,其中該導光元件用來傳遞該光信號。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的這些第一校準部為校準孔,而這些第三校準部為校準銷。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的這些第二校準部為校準凹槽(indentation),而這些第四校準部為校準凸塊(protrusion),或上述的這些第二校準部為校準凸塊,而這些第四校準部為校準凹槽。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的第一基底部還具有凹部,光電元件設置在凹部的底面上,且第二基底部還具有反射面,反射面用來反射光信號。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的第一承載部與第二承載部之間的校準誤差大于第一基底部與第二基底部之間的校準誤差。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的第一基底部與第二基底部之間的校準誤差約為±5微米,而第一承載部與第二承載部之間的校準誤差約為±50微米。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的第一基底部與第一承載部之間的校準誤差約為±15微米,而第二基底部與第二承載部之間的校準誤差約為±5微米。
在本發(fā)明的一實施例中,光電元件封裝體還包括光學膠體,填充于第一基底部與第二基底部之間,以包覆光電元件。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的第二基底部與第二承載部是一體成型。
在本發(fā)明的一實施例中,光電元件封裝體還包括與導光元件連接的轉(zhuǎn)接元件(Mechanic?transfer?ferrule),其中第二承載部承載轉(zhuǎn)接元件,且轉(zhuǎn)接元件未被第一承載部所覆蓋。
在本發(fā)明的一實施例中,光電元件封裝體還包括與第二承載部扣合的扣具,其中第二承載部還具有至少一第一卡榫,而扣具具有第二卡榫,且扣具通過第一卡榫以及第二卡榫的配合扣合于第二承載部上。
在本發(fā)明的一實施例中,光電元件封裝體還包括與導光元件連接的轉(zhuǎn)接元件,其中導光元件從第一基底部與第二基底部之間延伸至第二承載部之外,且轉(zhuǎn)接元件未被第一承載部所覆蓋。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的第二承載部還具有多個定位部,而這些定位部未被第一承載部所覆蓋,且這些定位部適于固定在第三承載部上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





