[發明專利]半導體非易失性存儲器以及數據寫入方法

有效

• 申請號: 201210350299.4
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN103021459A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 鐮野秀平;原田晃宏
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

1.一種非易失性半導體存儲器，其包括分別具有與位線連接的電荷蓄積部的多個存儲單元，其特征在于，具有：

數據寫入單元，該數據寫入單元通過將與要寫入的寫入數據的值對應的量的電荷注入到上述電荷蓄積部來進行數據的寫入；和

初始化寫入單元，在上述數據寫入單元的上述數據的寫入之前，該初始化寫入單元經由上述位線分別從上述電荷蓄積部輸出讀出電流，并對上述讀出電流比最大讀出電流閾值大的電荷蓄積部注入電荷，直到上述讀出電流低于上述最大讀出電流閾值為止。

2.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲器，其特征在于，

由上述初始化寫入單元將全部的上述電荷蓄積部初始化為寫入了第1數據值作為上述寫入數據的狀態，

上述數據寫入單元經由上述位線對成為具有與上述第1數據值不同的第2數據值的寫入數據的寫入對象的電荷蓄積部輸出讀出電流，并且對上述電荷蓄積部注入電荷，直到該讀出電流低于比上述最大讀出電流閾值小的第1讀出電流閾值為止。

3.根據權利要求2所述的非易失性半導體存儲器，其特征在于，

上述數據寫入單元在具有上述第2數據值的寫入數據的寫入結束后，經由上述位線對成為具有與上述第1以及第2數據值不同的第3數據值的寫入數據的寫入對象的電荷蓄積部輸出讀出電流，并且對上述電荷蓄積部注入電荷，直到該讀出電流低于比上述第1讀出電流閾值大且比上述最大讀出電流閾值小的第2讀出電流閾值為止。

4.一種數據寫入方法，是由非易失性半導體存儲器的控制部執行的數據寫入方法，該非易失性半導體存儲器具有：多個存儲單元，該多個存儲單元分別具有與位線連接的電荷蓄積部；和上述控制部，該控制部進行對上述存儲單元寫入數據的寫入控制，

該數據寫入方法依次執行下述步驟：

初始化寫入步驟，經由上述位線分別從上述電荷蓄積部輸出讀出電流，對上述讀出電流比最大讀出電流閾值大的電荷蓄積部注入電荷，直到上述讀出電流低于上述最大讀出電流閾值為止；

數據寫入步驟，通過對上述電荷蓄積部注入與要寫入的數據的值對應的量的電荷來進行數據的寫入。

5.根據權利要求4所述的數據寫入方法，其特征在于，

通過上述初始化寫入步驟，全部的上述電荷蓄積部被初始化為寫入了第1數據值作為上述寫入數據的狀態，

在上述數據寫入步驟中，經由上述位線對成為具有與上述第1數據值不同的第2數據值的寫入數據的寫入對象的電荷蓄積部輸出讀出電流，并且對上述電荷蓄積部注入電荷，直到該讀出電流低于比上述最大讀出電流閾值小的第1讀出電流閾值為止。

6.根據權利要求5所述的數據寫入方法，其特征在于，

在上述數據寫入步驟中，在具有上述第2數據值的寫入數據的寫入結束后，經由上述位線對成為具有與上述第1以及第2數據值不同的第3數據值的寫入數據的寫入對象的電荷蓄積部輸出讀出電流，并且對上述電荷蓄積部注入電荷，直到該讀出電流低于比上述第1讀出電流閾值大且比上述最大讀出電流閾值小的第2讀出電流閾值為止。