[發(fā)明專利]溶劑熱法合成納米花球狀In2Se3(DETA)雜化材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210348342.3
• 申請日: 2012-09-19
• 公開（公告）號: CN102849687A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 施偉東;劉裴;于帥;范偉強
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種溶劑熱法合成納米花球狀In₂Se₃(DETA)雜化材料的方法，其特征在于，以銦鹽和硒粉為反應物，以二乙烯三胺、乙二醇為溶劑，在內襯為聚四氟乙烯的反應釜中經溶劑熱反應，洗滌分離后真空干燥而成。

2.根據(jù)權利要求1所述的溶劑熱法合成納米花球狀In₂Se₃(DETA)雜化材料的方法，其特征在于，所述的溶劑熱反應包括：將銦鹽、硒粉置于內襯為聚四氟乙烯的反應釜中，加入二乙烯三胺和乙二醇混合溶液作為溶劑，攪拌均勻，反應溶液占所述反應釜總體積的60~80%，然后將反應釜于160~180℃反應12~24?h，冷卻至室溫，用無水乙醇洗滌并分離后真空干燥制得而成。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的溶劑熱法合成納米花球狀In₂Se₃(DETA)雜化材料的方法，其特征在于，所述的銦鹽和硒粉的摩爾比是2：3，所述的銦鹽為水合硝酸銦、氯化銦、溴化銦中任意的一種，所述的二乙烯三胺、乙二醇的體積比為11：4，所述的真空干燥溫度為60℃，干燥時間為6h。

4.根據(jù)權利要求1~3所述方法合成的納米花球狀In₂Se₃(DETA)雜化材料，其特征在于所述的納米花球狀In₂Se₃(DETA)雜化材料是由大面積的三維花狀結構組成，每個花的直徑在2~3?微米，花球狀結構納米片的厚度為30nm。