[發明專利]放射線檢測設備和包括該放射線檢測設備的檢測系統

無效

• 申請號: 201210347102.1
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN103006245A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 渡邊實;望月千織;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;藤吉健太郎;和山弘
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: A61B6/00
• 分類號: A61B6/00;H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

技術領域

本發明涉及放射線檢測設備和包括該設備的檢測系統，其可以用作醫療圖像診斷設備、非破壞性測試設備、使用放射線的分析設備等。

背景技術

在檢測設備（諸如具有像素的陣列（像素陣列）的光檢測設備或者放射線檢測設備）的制造中使用薄膜半導體制造技術。薄膜半導體制造技術通過將開關元件（諸如薄膜晶體管（在下文中被稱為TFT））與轉換元件（諸如光電轉換元件）結合以形成每個像素來允許有效地制造像素陣列。近年來，作為薄膜半導體制造技術的結果，可以處理多個成像模式（諸如動態（透視（fluoroscopic））成像、一般（靜態）成像等）的放射線檢測設備已經被公開。

一般，由于放射線檢測設備（檢測設備）在透視成像模式中主要需要可高速操作性并且該檢測設備在靜態成像模式中主要需要高信噪（S/N）比，因此可以處理多個拍攝模式的檢測設備需要可高速操作性和高S/N比兩者。尤其是，在使用薄膜晶體管（TFT）的大約X射線膠片尺寸的大面積檢測設備中，由于用于驅動TFT的驅動布線或者用于傳輸來自TFT的信號的信號布線較長，因此驅動布線或者信號布線的布線電容會增大。當驅動布線或者信號布線的布線電容增大時，驅動布線或者信號布線中的信號的傳輸延遲可能增大。因此，在使用TFT的大面積檢測設備中，可高速操作性的實現是重要議題。信號布線的布線電容的增大使噪聲增大，并且S/N比可能被較大程度地減小。另外，在截止時間處在TFT中存在漏電流，并且S/N比可能被減小。因此，在使用TFT的大面積檢測設備中，確保高S/N比也是重要議題。因此，為了利用使用TFT的大面積檢測設備適當地處理多個成像模式，確保可高速操作性和高S/N比兩者是高度期望的。

由本申請的受讓人（佳能株式會社）公開的美國專利申請公開No.2006/0249763討論了包括由與轉換元件連接的TFT形成的像素的檢測設備。美國專利申請公開No.2006/0249763討論了使用多晶的半導體層作為TFT，其提供可高速操作性。美國專利申請公開No.2006/0249763還討論了使用包括與驅動布線公共地連接的多個柵極電極的TFT（即具有多柵極結構的TFT）。因此，TFT的漏電流被抑制并且S/N比被提高。

也由本申請的受讓人公開的美國專利申請公開No.2011/0006191討論了包括多個像素、選擇單元和信號布線的檢測設備，該多個像素中的每一個包括具有不同的操作電阻的多個TFT和轉換元件，該選擇單元用于選擇該多個TFT中的至少一個，該信號布線經由所選的TFT輸出信號。在其中要求可高速操作性的拍攝模式中，通過使用具有低操作電阻的TFT將信號輸出到信號布線。同時，在其中要求高S/N比的拍攝模式中，通過使用具有高操作電阻（換言之，低的泄漏）的TFT將信號輸出到信號布線。因此，在美國專利申請公開No.2011/0006191中討論的可適用于多個拍攝模式的使用TFT的大面積檢測設備確保可高速操作性和高S/N比兩者。

在美國專利申請公開No.2006/0249763中討論的檢測設備中，一個驅動布線與一行具有多柵極結構的TFT公共地連接，在其中驅動布線電容沒有被減少，并且存在研究可高速操作性的余地。另外，信號布線電容沒有被減少，并且噪聲不能被抑制，因此存在研究高S/N比的要求的余地。在美國專利申請公開No.2011/0006191中討論的檢測設備中，由于與信號布線連接的TFT的數量較大，信號布線電容沒有被抑制，并且噪聲不能被抑制，因此存在研究高S/N比的要求的余地。另外，驅動布線電容沒有被減少，并且存在研究其的余地。

發明內容

本發明的示例性實施例涉及可以處理多個拍攝模式并且可以通過減少與晶體管連接的信號布線和驅動布線的電容來確保可高速操作性和高S/N比兩者的檢測設備。