[發明專利]用Se納米晶制作CIS吸收層的方法

無效

• 申請號: 201210346539.3
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN102874771A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 陶斯祿;周春;趙偉明;付瑜;蔣一嵐
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;東莞有機發光顯示產業技術研究院
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;C01G15/00;H01L31/18;H01L31/032
• 代理公司: 成都虹橋專利事務所 51124
• 代理人: 梁鑫

1.用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于包括如下步驟：

a、合成CIS納米晶：將CuCl₂和InCl₃置于容器中，加入去離子水攪拌溶解，攪拌過程中滴入MAA，混合均勻后加入Na₂S水溶液，然后加熱、保溫、冷卻、離心提純制得棕紅色CIS納米晶；

合成含Cu和S元素的納米晶：將CuCl₂置于容器中，加入去離子水攪拌溶解，攪拌過程中滴入MAA，混合均勻后加入Na₂S水溶液，然后加熱、保溫、冷卻、離心提純制得棕黃色含Cu和S元素的納米晶；

合成含In和S元素的納米晶：將InCl₃置于容器中，加入去離子水攪拌溶解，攪拌過程中滴入MAA，混合均勻后加入Na₂S水溶液，然后加熱、保溫、冷卻、離心提純制得黃色含In和S元素的納米晶；

合成Se納米晶：將SeO₂和阿拉伯樹膠溶于去離子水中，再加入抗壞血酸溶液，沉淀除去上清液制得紅色Se納米晶；

b、配置成膜原料：根據配置成膜原料的需要，選擇步驟a制得的CIS納米晶、含Cu和S元素的納米晶、含In和S元素的納米晶中的至少一種與Se納米晶混合，制得含Cu、In、S和Se納米晶的成膜原料；

c、熱處理制得CIS吸收層：將步驟b制得的成膜原料涂在經過親水處理的FTO玻璃基片上，低溫烘干定型，然后在惰性氣體保護下高溫熱處理使納米晶重結晶，制得致密的CIS吸收層。

2.根據權利要求1所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：步驟c中，所述低溫烘干是指在150℃溫度下除去成膜原料中易揮發的溶劑。

3.根據權利要求1所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：步驟c中，所述高溫熱處理采用的溫度為500℃。

4.根據權利要求1、2或3所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：合成CIS納米晶步驟中，CuCl₂、InCl₃和Na₂S的配比為：Cu、In、S的物質的量之比為1︰1︰2。

5.根據權利要求1、2或3所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：合成含Cu和S元素的納米晶步驟中，CuCl₂和Na₂S的配比為：Cu、S的物質的量之比為1︰1。

6.根據權利要求1、2或3所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：合成含In和S元素的納米晶步驟中，InCl₃和Na₂S的配比為：In、S的物質的量之比為2︰3。

7.根據權利要求1、2或3所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：步驟b中，制得的成膜原料中Cu、In、Se的物質的量之比為1︰（0.5～1.5）︰（1～15）。

8.根據權利要求7所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：步驟b中，制得的成膜原料中Cu、In、Se的物質的量之比為0.8︰1︰1。

9.根據權利要求1、2或3所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：步驟a中，所述加熱的最終溫度為80～95℃，所述保溫的時間為0.5～1h。

10.根據權利要求1、2或3所述的用Se納米晶制作CIS吸收層的方法，其特征在于：步驟a中，所述離心提純的具體步驟為：加入乙醇使納米晶析出后，采用離心的方式分離納米晶和上清液，再將納米晶重新分散在水中，達到提純納米晶的目的。