[發(fā)明專利]一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210346127.X
• 申請(qǐng)日: 2012-09-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102839293A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊嵩;李曉薇;齊克堯;劉光磊;司松海;劉海霞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎮(zhèn)江憶諾唯記憶合金有限公司
• 主分類號(hào): C22C9/01
• 分類號(hào): C22C9/01;C22F1/08
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于記憶合金技術(shù)領(lǐng)域，特指一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法。

背景技術(shù)

高鋁低錳CuAlMn記憶合金可以應(yīng)用在超低溫環(huán)境，如液氮溫度下的工作環(huán)境（小于200K）。如果利用高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金來(lái)制作一個(gè)控溫閥，使其在高溫時(shí)自動(dòng)把液氮瓶口打開(kāi)，釋放出液氮制冷，當(dāng)溫度降低到所需要的低溫時(shí)又自動(dòng)把瓶口關(guān)閉，這樣就可以減少低溫系統(tǒng)中液氮的流量，從而能夠有效地減少液氮的消耗量，延長(zhǎng)制冷裝置的工作時(shí)間。用高鋁低錳CuAlMn記憶合金制作控溫閥中的一個(gè)動(dòng)作元件，這個(gè)動(dòng)作元件會(huì)根據(jù)工作環(huán)境溫度而動(dòng)作，從而起到控溫閥門的作用。為了使高鋁低錳CuZnAl合金記住低溫形狀、具有隨溫度的升降進(jìn)行反復(fù)可逆動(dòng)作的雙程特性，需要進(jìn)行恰當(dāng)?shù)挠洃浱幚怼Ｒ话悴捎眉s束訓(xùn)練法，就是將一定直徑的訓(xùn)練約束棒對(duì)材料進(jìn)行反復(fù)常溫約束－加溫－冷卻－約束，如此循環(huán)20次，合金就具備雙程記憶性能。但是約束棒直徑（預(yù)應(yīng)變量ε）不同，對(duì)材料雙程記憶回復(fù)率有不同的影響，本發(fā)明提出了一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法，其特征在于：高鋁低錳CuAlMn記憶合金的絲材，尺寸為Ф0.5～2mm，化學(xué)成分為：Al26～26.5wt%，Mn5～5.5wt%，復(fù)合稀土添加劑0.3～0.8wt%，其余為銅。復(fù)合稀土添加劑化學(xué)成分為：Nb?30～40wt％、Ce20～30wt％、La?10～20wt％、Y?+Pr?+?Eu?+Gd?+Tb?+Ho?+Er?+Tm?+Lu為10～20wt%，余為銅。

對(duì)上述絲材選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測(cè)定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量大于2%以后，隨著預(yù)應(yīng)變量的增加，高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率提高。但是預(yù)變形量超過(guò)8％以后，雙程記憶回復(fù)率有所下降。所以對(duì)于高鋁低錳CuAlMn記憶合金，預(yù)應(yīng)變量應(yīng)控制在4%～8%范圍內(nèi)。

附圖說(shuō)明????

圖1　預(yù)應(yīng)變量與記憶回復(fù)率的關(guān)系

由圖1可以看出預(yù)應(yīng)變量應(yīng)在4%～8%范圍內(nèi)，高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金的記憶回復(fù)率最高。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測(cè)定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為2%時(shí)，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是78%。

實(shí)施例2

選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為4%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測(cè)定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為4%時(shí)，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是86%。

實(shí)施例3

選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為6%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測(cè)定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為6%時(shí)，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是86%。

實(shí)施例4

選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為8%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測(cè)定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為8%時(shí)，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是86%。

實(shí)施例5

選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為10%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀，然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測(cè)定。其結(jié)果是，預(yù)應(yīng)變量為10%時(shí)，CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是82%。