[發明專利]一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復率的方法

無效

• 申請號: 201210346127.X
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN102839293A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: 楊嵩;李曉薇;齊克堯;劉光磊;司松海;劉海霞
• 申請（專利權）人: 鎮江憶諾唯記憶合金有限公司
• 主分類號: C22C9/01
• 分類號: C22C9/01;C22F1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復率的方法，其特征在于：高鋁低錳CuAlMn記憶合金的絲材，尺寸為Ф0.5～2mm，化學成分為：Al26～26.5wt%，Mn5～5.5wt%，復合稀土添加劑0.3～0.8wt%，其余為銅；復合稀土添加劑化學成分為：Nb?30～40wt％、Ce20～30wt％、La?10～20wt％、Y?+Pr?+?Eu?+Gd?+Tb?+Ho?+Er?+Tm?+Lu為10～20wt%，余為銅。

2.根據權利要求1所述一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復率的方法，對上述絲材選取預應變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%，將高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金按照設定的不同預應變量做成園狀，然后進行記憶回復率測定；其結果是，預應變量大于2%以后，隨著預應變量的增加，高鋁低錳CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復率提高，但是預變形量超過8％以后，雙程記憶回復率有所下降。

3.根據權利要求2所述一種控制高鋁低錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復率的方法，對于高鋁低錳CuAlMn記憶合金，預應變量應控制在4%～8%范圍內，雙程記憶回復率達到最大值86%。