[發明專利]QFN封裝返拆工藝

有效

• 申請號: 201210346052.5
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN102881600A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 黃清華
• 申請（專利權）人: 奈電軟性科技電子（珠海）有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;B23K1/018
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 陳國榮

1.QFN封裝返拆工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1）將需要返修的電路板從整板物料上剪切出來；

2）將剪切出的電路板放至加熱臺進行加熱，待器件引腳下的焊錫熔解后取出器件；

3）對取出的器件進行檢查；

4）對檢查不合格的器件進行維修

5）將檢查合格以及維修后的器件放至清洗機清洗；

6）對維修后的器件再次進行檢查；

7）對檢查合格的器件進行封裝。

2.根據權利要求1所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述加熱臺的溫度為275°~285°。

3.根據權利要求1或2所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述器件為連接器，其放置在加熱臺上的時間為3~10s。

4.根據權利要求1或2所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述器件為IC，其放置在加熱臺上的時間為5~30s。

5.根據權利要求1所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，步驟3）中使用烙鐵對器件進行去錫維修，烙鐵與器件接觸的時間小于3s。

6.根據權利要求1所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述清洗機為超聲波清洗機，其內部放置有機清洗劑。

7.根據權利要求6所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，所述有機清洗劑為丙酮溶液。

8.根據權利要求1或6或7所述的QFN封裝返拆工藝，其特征在于，步驟5）中器件放置在清洗機內的清洗時間為10s。