[發明專利]一種基于藍寶石基板的半導體設備無效
| 申請號: | 201210345846.X | 申請日: | 2012-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN102891072A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 徐廣忠 | 申請(專利權)人: | 泰州普吉光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C30B25/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225300 江蘇省泰州市海*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 藍寶石 半導體設備 | ||
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技術領域??
本發明屬于半導體設備技術領域,尤其涉及一種基于藍寶石基板的半導體設備。
背景技術??
目前,大多數的半導體材料主要是外延生長在藍寶石基板上,在外延生長過程中,容易引起藍寶石基板的翹曲,嚴重時,導致藍寶石基板的破裂,造成后續工藝的復雜,增加了工藝難度,同時,也增加了成本。
發明內容???
本發明的目的在于提供一種基于藍寶石基板的半導體設備,旨在解決現有技術半導體材料在外延生長過程中,容易引起藍寶石基板的翹曲,嚴重時,導致藍寶石基板的破裂,造成后續工藝的復雜,增加了工藝難度,同時,也增加了成本的問題。
本發明是這樣實現的,一種基于藍寶石基板的半導體設備,所述基于藍寶石基板的半導體設備設有一藍寶石基板,所述藍寶石基板的下表面通過電鍍的方法形成一金屬層,所述金屬層對所述藍寶石基板進行平面固定,所述藍寶石基板的上表面通過外延生長的方法形成一外延層,所述外延層和金屬層的厚度相適應,所述金屬層的長度長于所述藍寶石基板的長度。?
作為一種改進的方案,所述金屬層為AL元素構成。?
本發明在藍寶石基板下表面形成的金屬層對藍寶石基板進行平面固定,降低了藍寶石基板在材料外延生長時,發生翹曲或破裂的可能性,工藝簡單,成本較低。?
附圖說明??
圖1是本發明提供的基于藍寶石基板的半導體設備的結構示意圖。
具體實施方式??
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
圖1示出了本發明提供的基于藍寶石基板的半導體設備的結構示意圖,為了便于說明,圖中僅給出了與本發明相關的部分。?
基于藍寶石基板的半導體設備設有一藍寶石基板1,所述藍寶石基板1的下表面通過電鍍的方法形成一金屬層2,所述金屬層2對所述藍寶石基板1進行平面固定,所述藍寶石基板1的上表面通過外延生長的方法形成一外延層3,所述外延層3和金屬層2的厚度相適應,所述金屬層2的長度長于所述藍寶石基板1的長度。?
其中,所述金屬層2為AL元素構成。?
在本發明中,外延層3和金屬層2的厚度相適應的含義為:金屬層2的厚度可以根據外延層3的厚度進行調整。?
本發明在藍寶石基板下表面形成的金屬層對藍寶石基板進行平面固定,降低了藍寶石基板在材料外延生長時,發生翹曲或破裂的可能性,工藝簡單,成本較低。?
以上所述僅為本發明的較佳實施例而已,并不用以限制本發明,凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等,均應包含在本發明的保護范圍之內。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





