[發明專利]一種陣列基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201210345680.1 | 申請日: | 2012-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN102890378A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 高濤;周偉峰;張峰;呂志軍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示器的制造領域,特別涉及一種陣列基板及其制造方法。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優點,在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位,廣泛應用于臺式電腦、筆記本電腦、個人數字助理(Personal?Digital?Assistant,PDA)、手機、電視、監視器等領域。對于TFT-LCD來說,陣列基板的結構及其制造工藝決定了TFT-LCD的產品性能、成品率和價格。
目前,TFT-LCD陣列基板的制造都是通過多次構圖工藝形成薄膜圖形來完成的,以形成一層薄膜圖形。為了有效地降低TFT-LCD的價格、提高TFT-LCD的成品率,TFT-LCD陣列基板的制造工藝逐步得到簡化,由開始的需要經過七次構圖工藝形成已經發展到基于灰色調掩模板光刻(Gray?Tone?Mask)技術的四次構圖工藝形成。現有的四次構圖工藝利用灰色調或半灰色調掩膜板技術,通過一次構圖工藝完成有源層、數據線、源電極、漏電極和薄膜晶體管溝道區域圖形的制作。
由于每一次構圖工藝中一般都包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝,所以構圖工藝的次數可以衡量制造TFT-LCD陣列基板的繁簡程度,在TFT-LCD陣列基板制造過程中,采用的構圖工藝的次數越少,則生產時間就越短、生產效率就越高、制造成本也就越低。
發明內容
本發明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法,采用三次構圖工藝實現陣列基板的制造,縮短生產周期,降低生產成本,提高生產效率。
本發明實施例提供了一種陣列基板,包括:
位于襯底基板上的柵電極和柵線;
所述柵電極和柵線上依次覆蓋有第一絕緣層、有源層及歐姆接觸層,其中,所述有源層與所述歐姆接觸層形成薄膜晶體管TFT溝道;
所述TFT溝道上覆蓋有第二絕緣層,在所述襯底基板上除所述第二絕緣層覆蓋的區域外的其他區域上覆蓋有像素電極,其中,所述第二絕緣層上的歐姆接觸層對應位置上分別形成有接觸孔,部分所述像素電極通過所述接觸孔與所述歐姆接觸層接觸;
所述第二絕緣層上覆蓋有漏電極、源電極及數據線,其中,所述漏電極與所述像素電極接觸;
所述漏電極、源電極及數據線上覆蓋有鈍化層。
本發明實施例提供了一種陣列基板的制造方法,包括:
步驟1:采用灰色調或半色調掩膜板,通過一次構圖工藝,在襯底基板上依次形成柵線和柵電極、第一絕緣層、有源層及歐姆接觸層,其中,所述有源層及所述歐姆接觸層構成薄膜晶體管TFT溝道區域;
步驟2:采用灰色調或半色調掩膜板,通過一次構圖工藝,在完成步驟1的襯底基板上,依次形成第二絕緣層和像素電極;
步驟3:采用灰色調或半色調掩膜板,通過一次構圖工藝,在完成步驟2的襯底基板上,依次形成漏電極和源電極、數據線以及鈍化層。
本發明實施例通過三次構圖工藝即可完成陣列基板的制備,縮短了生產周期,降低了生產成本,提高了生產效率;本發明實施例陣列基板的制造方法工藝過程簡單、可靠,易于實現,具有廣泛的應用前景。
附圖說明
圖1為本發明實施例灰色調或半色調掩膜板的原理示意圖;
圖2為本發明實施例陣列基板的剖面結構示意圖;
圖3本發明實施例陣列基板制造方法的流程示意圖;
圖4為本發明實施例陣列基板制造方法中的第一次構圖工藝流程示意圖;
圖5A為本發明實施例第一次構圖工藝中,在襯底基板上沉積各薄膜層后的剖面結構示意圖;
圖5B為本發明實施例第一次構圖工藝中,陣列基板的TFT區域涂覆光刻膠后的剖面結構示意圖;
圖5C為本發明實施例第一次構圖工藝中,陣列基板的TFT區域的光刻膠進行曝光、顯影處理后的剖面結構示意圖;
圖5D為本發明實施例第一次構圖工藝后,陣列基板的TFT區域的剖面結構示意圖;
圖5E為本發明實施例第一次構圖工藝后,陣列基板的柵線所在區域的剖面結構示意圖;
圖6為本發明實施例陣列基板制造方法中的第二次構圖工藝流程示意圖;
圖7A為本發明實施例第二次構圖工藝中,在沉積了第二絕緣層薄膜的陣列基板的TFT區域涂覆光刻膠后的剖面結構圖;
圖7B為本發明實施例第二次構圖工藝中,在沉積了第二絕緣層薄膜的陣列基板的柵線所在區域涂覆光刻膠后的剖面結構圖;
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