[發明專利]氧化被膜的形成方法

有效

• 申請號: 201210345479.3
• 申請日: 2012-09-12
• 公開（公告）號: CN102995089A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 石榑文昭;稻吉榮;石川裕一;佐藤洋志
• 申請（專利權）人: 日本愛發科泰克能株式會社
• 主分類號: C25D11/12
• 分類號: C25D11/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

技術領域

本發明涉及在由鋁或鋁合金構成的被處理物表面形成氧化被膜的方法。

背景技術

本申請人以前提出了將大面積的被處理物表面加以分割，分數次進行微電弧氧化處理，由此，在被處理物的整個表面上形成氧化被膜(參照專利文獻1)。

該文獻中公開的方法，利用掩蔽材料將被處理物的先處理的部位與后處理的部位分隔開，將先處理的部位浸漬在電解液中直到掩蔽材料的位置，形成氧化被膜，將被處理物從電解液中提起，除去掩蔽材料，將后處理的部位再度浸漬在電解液中進行氧化，通過將該工序反復進行，在1m²以上大小的被處理物的整個表面上形成氧化被膜。

但是，在專利文獻1公開的方法中，由于具有從電解液中提起被處理物，除去掩蔽材料的工序，因此存在效率差的問題。另外，由于掩蔽材料在被處理物表面不能均勻附著，存在電解液進入掩蔽材料的下面，先處理的部位與后處理的部位的邊界變得不均勻的問題。另外，當掩蔽材料的去除不徹底時，存在雜質殘留在邊界附近的問題。進一步，存在被處理物的面積越大，產生這些問題的可能性越大的問題。

因此，例如，專利文獻2提出，一邊運送從卷材引出的可撓性基材，一邊不使液面晃動地進行定電流電解處理等。但是，在該文獻中，對進行過電解處理的部位與未處理的部位之間的邊界的氧化被膜的膜質量未特別提及，另外，對于為厚度1mm以上的難以彎曲的鋁或鋁合金，而且作為處理對象的面積大型化的場合的上述引用文獻1的問題點也未提出任何解決方案。

另外，引用文獻3中雖提出了采用微電弧法，邊保持同樣水平的電流，邊在可撓性基板上成膜的方法，但存在與引用文獻2同樣的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1特開2009-102721號公報

專利文獻2特開2007-332409號公報

專利文獻3特開2010-156040號公報

發明內容

發明所要解決的課題

因此，本發明為了解決上述問題，以在大面積的被處理物表面有效地形成氧化被膜為目的。

用于解決課題的手段

為了解決上述課題，本發明人進行悉心研究的結果發現，在以如不采用掩蔽材料，對大型被處理物分數次進行陽極氧化處理，則在液面附近被處理物發生腐蝕這樣的以往認識為基礎進行試驗時，意外地發現在液面附近，電解液產生的被處理物的腐蝕及液面附近的附著物少，而且還可以解決采用掩蔽材料時的短處，從而完成了以下的發明。

即，本發明如第一項所述，其特征在于，通過將鋁或鋁合金構成的厚度1mm以上的被處理物的一部分浸漬在電解液中進行微電弧氧化處理，由此形成氧化被膜后，在形成了上述氧化被膜的部位與其他部位的邊界不設置掩蔽材料，將形成了上述氧化被膜的部位和其他部位浸漬在上述電解液中進行微電弧氧化處理，由此，在上述其他部位形成氧化被膜。

本發明的第二項，其特征在于，在第一項所述的氧化被膜的形成方法中，從上述被處理物的前端側依次形成上述氧化被膜。

本發明的第三項，其特征在于，在第一項或第二項所述的氧化被膜的形成方法中，上述微電弧氧化處理時的電流密度為1～6A/dm²。

本發明的第四項，其特征在于，在第一項～第三項的任一項所述的氧化被膜的形成方法中，上述微電弧氧化處理時的電流密度為1～4A/dm²。

本發明的第五項，其特征在于，在第一項～第四項的任一項所述的氧化被膜的形成方法中，在整個上述氧化被膜的形成過程中，上述電解液的溫度為-10℃～65℃的范圍。

發明效果

按照本發明，對大面積被處理物，可不使被處理物發生彎曲等變形而有效地形成氧化被膜。另外，由于不存在掩蔽材料去除不完全的問題，被處理物上無雜質殘留。另外，按照本發明，由于微電弧氧化處理時的電流可以較低，因此不需大容量電源。進一步，由于可積極地降低整個氧化被膜的形成過程中的發熱，用于冷卻處理體系的系統與以往相比可以減小。

附圖說明

圖1是表示本發明的氧化被膜的形成方法的一實施方式的說明圖。

圖2(a)實施例1的試樣照片，(b)實施例2的試樣照片。

圖3為實施例1的試樣的光學顯微鏡照片((a)第1氧化被膜、(b)第2氧化被膜、(c)邊界附近的氧化被膜)。

圖4為實施例2的試樣的光學顯微鏡照片((a)第1氧化被膜、(b)第2氧化被膜、(c)邊界附近的氧化被膜)。

符號的說明

1????被處理物